[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及半导体器件。对半导体制造装置的锗(Ge)污染被抑制。锗是硅半导体工艺中的异种材料。半导体器件被提供有包括n型锗层的Ge光电二极管和与n型锗层电容耦合的插塞。换句话说，Ge光电二极管的n型锗层和插塞彼此不直接接触，而是彼此电容耦合。

对相关申请的交叉引用

于2016年11月16日提交的、包括说明书和权利要求书、附图和摘要的日本专利申请No.2006-223188的公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，例如，有效地用于具有包括锗层的受光元件的半导体器件的技术。

背景技术

日本未审查专利申请公开No.2015-92641描述了涉及光检测器件的技术，该光检测器件经由锗化物区域电耦合单晶n型Ge材料和电极。

日本未审查专利申请公开No.2013-207231描述了用于通过在Ge层上形成Si保护膜来减小电流泄漏的技术。在这种技术中，在Si保护膜与金属层接触的区域中，硅(Si)作为硅化镍层(NiSi)被完全接合到NiGe层，从而减小接触电阻。硅化镍层(NiSi)是含镍(Ni)的混晶层。

日本未审查专利申请公开No.2012-124483描述了用于减小接触电阻的技术，该技术在n型Ge区域上通过在电极和n型Ge区域之间掺杂有n型杂质的界面硅层来形成电极，从而减小接触电阻。

发明内容

在硅光子技术中，为了集成光电路和电子电路，需要具有光电转换功能的受光元件。在使用硅层作为光波导层的硅光子技术中，特别地，光电二极管(下文将称之为Ge光电二极管)用作受光元件，其中具有比硅小的带隙的锗用于吸收通过硅层传播的光(红外光)。

通过例如硅半导体工艺在硅基板上部分地外延生长Ge层，从而形成Ge光电二极管。由于Ge是硅半导体工艺中的异种材料，因此已经要求采取措施避免对半导体制造装置的污染。

通过对本说明书和附图的描述，将阐明其它问题和新特征。

根据实施例的半导体器件被提供有包括锗层的受光元件和与锗层电容耦合的插塞。

该实施例可以抑制对半导体制造装置的污染，该污染由硅半导体工艺中的异种材料锗(Ge)引起。

附图说明

图1是示出根据实施例的半导体器件的构造示例的示意图；

图2是示意性示出根据相关技术的包括Ge光电二极管的半导体器件的构造的剖面图；

图3是用于说明相关技术中的改进余地的示意图；

图4是示意性示出根据实施例的Ge光电二极管的构造的平面图；

图5是沿图4的线A-A截取的剖面图；

图6是示出根据实施例的半导体器件的制造工艺的剖面图；

图7是示出在图6之后的半导体器件的制造工艺的剖面图；

图8是示出在图7之后的半导体器件的制造工艺的剖面图；

图9是示意性示出根据第一修改的包括Ge光电二极管的半导体器件的构造的剖面图；

图10是示出根据第一修改的半导体器件的制造工艺的剖面图；

图11是示意性示出根据第三修改的包括Ge光电二极管的半导体器件的构造的剖面图；

图12是示出根据第三修改的半导体器件的制造工艺的剖面图；

图13是示出在图12之后的半导体器件的制造工艺的剖面图；

图14是示出在图13之后的半导体器件的制造工艺的剖面图；