[发明专利]缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置

权利要求书

1.一种缺陷来源的分析方法，其特征在于，包括：

(1)对晶元进行光学扫描，得到目标缺陷的信息，然后，将所述晶元所在的工艺层作为目标缺陷所在层，利用一输入端到输出端的缺陷来源分析系统执行步骤(2)和(3)；

(2)判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否经过光学扫描，若判断是，则进行步骤(3)，若判断否，则使n的数值加1，再判断对应的工艺层是否经过光学扫描；

(3)将所述目标缺陷的信息与目标缺陷所在层之前的第n个工艺层经光学扫描所获得的特征缺陷的信息进行比较，判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否存在与所述目标缺陷匹配的特征缺陷，若判断是，则所述目标缺陷的来源不是前(n-1)个工艺层，接着使n的数值加1，继续执行(2)～(3)的步骤；若判断否，则所述目标缺陷的来源为目标缺陷所在层之前的第(n-1)个工艺层，所述分析结束；

其中，n为大于或等于1的整数，步骤(2)和(3)中，n依照从小到大的顺序取值。

2.如权利要求1所述的缺陷来源的分析方法，其特征在于，还包括：当n的取值结束或步骤(2)中已覆盖所有设定数量的工艺层时，则所述目标缺陷的来源为目标缺陷所在层之前的第(n-1)个工艺层，所述分析结束。

3.如权利要求1所述的缺陷来源的分析方法，其特征在于，所述目标缺陷和所述特征缺陷的信息包括其在同一坐标分布图中的横坐标和纵坐标，在步骤(3)中，判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否存在与所述目标缺陷匹配的特征缺陷的方法包括：将任一目标缺陷和任一特征缺陷的横坐标的中心和纵坐标的中心分别相减，分别获得目标缺陷中心和特征缺陷中心的横坐标差值和纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在设定的坐标容忍值之内，那么可以判定所述目标缺陷和特征缺陷匹配。

4.如权利要求1所述的缺陷来源的分析方法，其特征在于，在步骤(3)中，通过数据过滤去噪的方法判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否存在与所述目标缺陷相匹配的特征缺陷。

5.如权利要求1所述的缺陷来源的分析方法，其特征在于，所述目标缺陷包括气泡缺陷，所述目标缺陷的信息包括气泡缺陷的坐标信息和尺寸信息。

6.如权利要求1-5中任一项所述的缺陷来源的分析方法，其特征在于，所述晶元包括底层晶元和器件晶元，所述底层晶元和所述器件晶元具有互相接触并重合的表面。

7.一种缺陷来源的分析系统，能够以输入端到输出端的方式执行如权利要求1-6中任一项所述的缺陷来源的分析方法，其特征在于，包括：

光学扫描模块，用于对基于某一工艺形成的工艺层进行光学扫描获取特征缺陷的信息，和/或对完成多个工艺之后的晶元进行光学扫描获取目标缺陷的信息；

缺陷来源分析模块，用于根据所述缺陷来源的分析方法进行分析获得所述目标缺陷的来源；

数据存储模块，用于保存所述特征缺陷和/或所述目标缺陷的信息，以及目标缺陷的来源的信息；

数据处理和输出模块，用于调用所述数据存储模块中的目标缺陷来源的信息并进行数据处理及输出。

8.如权利要求7所述的缺陷来源的分析系统，其特征在于，所述缺陷来源分析模块包括数据过滤去噪单元，用于判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否存在与所述目标缺陷相匹配的特征缺陷，其中，n为大于或等于1的整数。

9.如权利要求7或8所述的缺陷来源的分析系统，其特征在于，所述数据处理和输出模块包括数据提取单元和图表生成单元，其中，所述数据提取单元与所述数据存储模块连接，所述图表生成单元与所述数据提取单元连接。

10.一种缺陷检测装置，其特征在于，包括如权利要求7-9中任一项所述的缺陷来源的分析系统。