[发明专利]缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置

说明书

本发明涉及缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置，通过对晶元进行光学扫描得到目标缺陷的工艺层与之前若干个经过扫描的工艺层进行处理，依照由近及远顺序判断前若干个经过扫描的工艺层是否存在与所述目标缺陷匹配的特征缺陷，从而对所述目标缺陷的来源进行分析，以得到引入所述目标缺陷的工艺层(或对应的工艺)，即获得目标缺陷的来源，通过本发明提供的缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置，大大减少了人工判断气泡缺陷来源所花费的工时以及引起的人工误差，通过对气泡缺陷的来源的分析和监控，可以及时确定工艺或机台的异常情况，有助于减少不必要的损失。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置。

背景技术

随着半导体制造技术的不断成熟发展，图像传感器越来越集中应用于数码相机、PC相机、影像电话、视讯会议、智能型安保系统、汽车倒车雷达、游戏机以及工业医疗等众多领域。

图像传感器按照感光元件与感光原理的不同，可分为CCD(Charge CoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器与CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属-氧化物-半导体)图像传感器。其中，CMOS图像传感器属于光电元器件且CMOS图像传感器由于其制造方法与现有集成电路制造方法兼容，其可以将驱动电路和像素集成在一起，简化了硬件设计同时也降低了系统的功耗，CMOS图像传感器在采集光信号的同时就可以获取电信号，还能实时处理图像信息，反应速度快；同时CMOS图像传感器还具有价格便宜，带宽较大，防模糊，访问灵活和填充系数较大的优点，逐渐成为图像传感器的主流。

一种制造CMOS图像传感器(亦称CIS，CMOS Image Sensor)的方法是，将一面形成有感光区域的器件晶元(device wafer)与未制作感光区域的底层晶元(carrierwafer)经过磨边(wafertrim)和化学机械研磨(CMP)等相关工艺后，通过键合工艺键合(bond)，之后再制作例如彩色滤光片、微透镜、金属隔离栅等，最终形成完整的CMOS图像传感器。

但是，利用上述方法在将底层晶元和器件晶元键合之后，经光学扫描机台对该结合晶元进行光学检查，所形成的晶元中存在气泡缺陷(bubble defect)。而现有的图像解析系统对气泡缺陷的解析存在误差，并且难以确定气泡缺陷的来源。气泡缺陷既可能由底层晶元引入，也可能由器件晶元或其他工艺层(或对应的工艺)引入，目前判断气泡缺陷的来源还需要人工判定以及人工制作气泡缺陷趋势图(bubble chart)，此过程增加了人工成本并且存在人工误差，而且也难以及时发现和监测工艺或者机台的异常(abnormal)情况。

发明内容

本发明的目的是提供一种缺陷来源的分析方法、一种缺陷来源的分析系统以及一种缺陷检测装置，可以对缺陷的来源进行自动分析，及时准确地发现晶元上的目标缺陷(例如气泡缺陷)的来源，从而降低人工成本。

一方面，本发明提供了一种缺陷来源的分析方法，包括如下步骤：

(1)对晶元进行光学扫描，得到目标缺陷的信息，将所述晶元所在的工艺层作为目标缺陷所在层；

(2)判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否经过光学扫描，若判断是，则进行步骤(3)，若判断否，则使n的数值加1，再判断对应的工艺层是否经过光学扫描；

(3)将所述目标缺陷的信息与目标缺陷所在层之前的第n个工艺层经光学扫描所获得的特征缺陷的信息进行比较，判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否存在与所述目标缺陷匹配的特征缺陷，若判断是，使n的数值加1，继续执行(2)～(3)的步骤；若判断否，则所述目标缺陷的来源为目标缺陷所在层之前的第(n-1)个工艺层，所述分析结束；

其中，n为大于等于1的整数，步骤(2)和(3)中，n依照从小到大的顺序取值。