[发明专利]一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法

权利要求书

1.一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，其特征在于：该方法按以下步骤进行；

一、称料：

按质量份数分别称取1～15份的SiC纳米线、20～50份的溶剂、0.01～0.5份的分散剂、5～20份的增塑剂和14.5～69.99份的粘结剂作为原料；

所述SiC纳米线为3C、2H、4H、6H中的一种或几种的任意比组合，SiC纳米线的平均直径为5～250nm，SiC纳米线的长度为20～100μm；

所述溶剂为无水乙醇和正丁醇按质量比(0.5～1):1的混合物；

所述分散剂为液态的鱼油；

所述增塑剂为液态的磷酸三丁酯；

所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛树脂粉末；

二、SiC纳米线预分散：

将步骤一称取的SiC纳米线、溶剂和分散剂放入球磨容器内，在超声波功率为200～400W下超声处理1～30min，得到SiC纳米线预分散浆料；所述球磨容器的体积是溶剂体积的3～20倍；

三、SiC纳米线低损伤球磨分散：

向盛有步骤二得到的SiC纳米线预分散浆料的球磨容器内加入步骤一称取的增塑剂和粘结剂，再加入直径为0.1～2mm球磨球，在转速为10～100r/min的条件下将浆料球磨72～120h，得到SiC纳米线均匀分布的浆料；

所述加入的直径为0.1～2mm的球磨球的总体积为球磨容器的体积的1/4～1/2；

四、除气处理：

将步骤三得到的SiC纳米线均匀分布的浆料在低压环境和温度为20～30℃的条件下静置1～5min进行除气处理；

五、流延成型：

将步骤四除气处理后的浆料进行流延成型，得到流延生坯；

六、干燥：

将步骤五中所得的流延生坯在20～30℃的空气环境中干燥2～24h，得到的SiC纳米线的平均长度为原始SiC纳米线长度的80％～90％，即完成。

2.根据权利要求1所述包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，其特征在于：步骤三所述球磨球的材质为刚玉、氧化锆或不锈钢。

3.根据权利要求1所述包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，其特征在于：步骤四所述低压环境的气压范围为1×10^～1～1×10⁵Pa。

4.根据权利要求3所述包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，其特征在于：步骤五所述进行流延成型时刮刀高度设置为0.1～1mm，延膜带速度设置为0.1～10mm/s。