[发明专利]一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

说明书

本发明涉及一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，所述微波介质陶瓷的化学通式为xMg₂SiO₄‑(1‑x)MgTa₂O₆+y wt%B，所述B为ZnO、CuO、Al₂O₃、Ga₂O₃、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、MnO₂、Nb₂O₅、Sb₂O₅和WO₃中的至少一种，其中x代表Mg₂SiO₄占Mg₂SiO₄和MgTa₂O₆总摩尔量的百分数，0＜x＜1；y代表B占Mg₂SiO₄和MgTa₂O₆的总质量的百分数，0≤y≤5。

技术领域

本发明属于微波介质陶瓷技术领域，具体涉及一种低介电常数、超低介电损耗、频率温度系数近零的微波介质陶瓷及其制备方法。

背景技术

近年来，随着5G通讯技术、全球定位技术迅猛发展，作为微波滤波器、谐振器及振荡器等无线通讯器件用的高性能微波介质陶瓷需求量日益增多，尤其是超低微波介电损耗和近零频率温度系数的陶瓷。这种陶瓷既可以满足实现微波通信设备的可移动性、便携性、小型化、微型化的要求，又可以满足在微波范围具有高性能、高可靠性、大容量信息传输等工作特性要求，得到广泛关注。

MgTa₂O₆具有较高的品质因数Qf值，中低介电常数ε_r和正的谐振频率温度系数τ_f(Qf＝60000GHz，ε_r＝30，τ_f＝30ppm/℃)不能够满足实际需要，而Mg₂SiO₄同样也具有优异的微波介电性能(Qf＝270000GHz，ε_r＝6.8，τ_f＝-67ppm/℃)，也不能满足应用需求。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种低介电常数、超低介电损耗、频率温度系数近零的微波介质陶瓷及其制备方法。

一方面，本发明提供了一种低介电常数、超低介电损耗的微波介质陶瓷，所述微波介质陶瓷的化学通式为xMg₂SiO₄-(1-x)MgTa₂O₆+y wt％B，所述B为ZnO、CuO、Al₂O₃、Ga₂O₃、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、MnO₂、Nb₂O₅、Sb₂O₅和WO₃中的至少一种，其中x代表Mg₂SiO₄占Mg₂SiO₄和MgTa₂O₆总摩尔量的百分数，0＜x＜1；y代表B占Mg₂SiO₄和MgTa₂O₆的总质量的百分数，0≤y≤5。