[发明专利]布线电路基板及其制造方法有效
申请号: | 201711066323.0 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN108024442B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 山内大辅;田边浩之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K3/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 路基 及其 制造 方法 | ||
1.一种布线电路基板,其特征在于,
该布线电路基板包括:
绝缘层;以及
导体层,其配置于所述绝缘层的厚度方向一侧面,
所述绝缘层连续具有:
第1绝缘部;
第2绝缘部,其具有比所述第1绝缘部的厚度薄的厚度;以及
第3绝缘部,其配置于所述第1绝缘部和所述第2绝缘部之间,并具有自所述第1绝缘部朝向所述第2绝缘部逐渐变薄的厚度,
所述导体层连续具有:
第1导体部,其配置于所述第1绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第1导体部的表面与所述第1绝缘部的表面相接触;以及
第2导体部,其配置于所述第2绝缘部的所述厚度方向一侧面,并具有比所述第1导体部的厚度薄的厚度,所述第2导体部的表面与所述第2绝缘部的表面相接触,
所述第1导体部还配置于所述第2绝缘部和所述第3绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第1导体部的表面与所述第2绝缘部以及所述第3绝缘部的表面相接触,或者,
所述第2导体部还配置于所述第1绝缘部和所述第3绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第2导体部的表面与所述第1绝缘部以及所述第3绝缘部的表面相接触。
2.一种布线电路基板的制造方法,其特征在于,
该布线电路基板的制造方法包括:
第1工序,准备绝缘层;以及
第2工序,将导体层配置于所述绝缘层的厚度方向一侧面,
所述绝缘层连续具有:
第1绝缘部;
第2绝缘部,其具有比所述第1绝缘部的厚度薄的厚度;以及
第3绝缘部,其配置于所述第1绝缘部和所述第2绝缘部之间,并具有自所述第1绝缘部朝向所述第2绝缘部逐渐变薄的厚度,
所述导体层连续具有:
第1导体部,其配置于所述第1绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第1导体部的表面与所述第1绝缘部的表面相接触;以及
第2导体部,其配置于所述第2绝缘部的所述厚度方向一侧面,并具有比所述第1导体部的厚度薄的厚度,所述第2导体部的表面与所述第2绝缘部的表面相接触,
所述第1导体部还配置于所述第2绝缘部和所述第3绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第1导体部的表面与所述第2绝缘部以及所述第3绝缘部的表面相接触,或者,
所述第2导体部还配置于所述第1绝缘部和所述第3绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第2导体部的表面与所述第1绝缘部以及所述第3绝缘部的表面相接触,
所述第2工序包括:
第3工序,将具有与所述第2导体部的厚度相同的厚度的第1导体层配置于所述绝缘层的所述厚度方向一侧面;
第4工序,将光致抗蚀剂配置于所述第1导体层的所述厚度方向一侧面的整个面;
第5工序,通过对所述光致抗蚀剂进行曝光和显影,从而以所述第1导体部的反转图案形成抗镀层;
第6工序,利用镀敷在所述第1导体层的自所述抗镀层暴露的所述厚度方向一侧面形成第2导体层,
在所述第6工序中,以使所述第1导体层和所述第2导体层的总厚度与所述第1导体部的厚度相同的方式进行镀敷。
3.一种布线电路基板的制造方法,其特征在于,
该布线电路基板的制造方法包括:
第1工序,准备绝缘层;以及
第2工序,在所述绝缘层的厚度方向一侧面形成导体层,
所述绝缘层连续具有:
第1绝缘部;
第2绝缘部,其具有比所述第1绝缘部的厚度薄的厚度;以及
第3绝缘部,其配置于所述第1绝缘部和所述第2绝缘部之间,并具有自所述第1绝缘部朝向所述第2绝缘部逐渐变薄的厚度,
所述导体层连续具有:
第1导体部,其配置于所述第1绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第1导体部的表面与所述第1绝缘部的表面相接触;以及
第2导体部,其配置于所述第2绝缘部的所述厚度方向一侧面,并具有比所述第1导体部的厚度薄的厚度,所述第2导体部的表面与所述第2绝缘部的表面相接触,
所述第1导体部还配置于所述第2绝缘部和所述第3绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第1导体部的表面与所述第2绝缘部以及所述第3绝缘部的表面相接触,或者,
所述第2导体部还配置于所述第1绝缘部和所述第3绝缘部的所述厚度方向一侧面,所述第2导体部的表面与所述第1绝缘部以及所述第3绝缘部的表面相接触,
所述第2工序包括:
第7工序,将具有与所述第1导体部的厚度相同的厚度的第3导体层配置于所述绝缘层的所述厚度方向一侧面;
第8工序,在所述第3导体层的所述厚度方向一侧面以与所述第1导体部相同的图案形成抗蚀层;以及
第9工序,对所述第3导体层的自所述抗蚀层暴露的所述厚度方向一侧部分进行蚀刻,
在所述第9工序中,对所述第3导体层蚀刻从所述第1导体部的厚度中减去所述第2导体部的厚度得到的厚度的量。
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