[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201711068127.7 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN109755257A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非晶硅 第一表面 遮光层 衬底 源层 阵列基板 第二表面 显示面板 显示装置 正投影 制备 非发光区域 版图设计 产品良率 电位连接 工艺方面 工艺难度 寄生电容 金属反光 相对设置 遮光效果 开口率 像素区 信赖性 波段 覆盖 加热 吸收 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;
有源层,所述有源层设置在所述第一表面上;
非晶硅遮光层,所述非晶硅遮光层设置在所述衬底和所述有源层之间或者所述第二表面上;
其中,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面或者所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域,且所述阵列基板进一步包括:
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述非晶硅遮光层与所述衬底之间;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非晶硅遮光层设置在所述第一表面上,所述有源层设置在所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧,且所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非晶硅遮光层设置于所述第二表面上,所述有源层设置在所述第一表面上,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层设置于第一表面上,
所述非晶硅遮光层设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧,
所述第二绝缘层设置所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧,
所述有源层设置所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧,
且所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层设置于第二表面上,
所述非晶硅遮光层设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧,
所述第二绝缘层设置所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧,
所述有源层设置所述第一表面上,
且所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。
7.根据权利要求4或6所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括缓冲层,所述缓冲层设置于所述第一表面与所述有源层之间。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,形成所述有源层的材料包括非结晶氧化铟镓锌,氮氧化锌,铟锌锡氧化物,非晶硅,多晶硅,六噻吩,聚噻吩中的任一种。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,当所述显示面板为OLED顶发射显示面板时,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,当所述显示面板为OLED底发射显示面板或者LCD显示面板时,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9-11任一项所述的显示面板。
13.一种制备阵列基板的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;
形成有源层,所述有源层设置在所述第一表面上;
形成非晶硅遮光层,所述非晶硅遮光层设置在所述衬底和所述有源层之间或者所述第二表面上;
其中,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面或者所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的