[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201711068127.7 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN109755257A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非晶硅 第一表面 遮光层 衬底 源层 阵列基板 第二表面 显示面板 显示装置 正投影 制备 非发光区域 版图设计 产品良率 电位连接 工艺方面 工艺难度 寄生电容 金属反光 相对设置 遮光效果 开口率 像素区 信赖性 波段 覆盖 加热 吸收 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括:衬底,衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;有源层,有源层设置在第一表面上;非晶硅遮光层,非晶硅遮光层设置在衬底和有源层之间或者第二表面上;其中,非晶硅遮光层在第一表面上的正投影覆盖整个第一表面或者非晶硅遮光层在第一表面上的正投影覆盖衬底的非发光区域。由此,非晶硅可以吸收整个波段的光线,采用非晶硅遮光层可实现对有源层的遮光效果,无金属反光、加热等问题,有助于提升信赖性;不存在电位连接问题,可减弱或避免寄生电容,在版图设计上有利于提升像素区开口率,在工艺方面可降低工艺难度,提升产品良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别的,涉及阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
在阵列基板的制备中,通过在玻璃衬底上制作金属遮光层(SH Layer)作为有源层的挡光材料,避免环境光照射有源层对TFT特性产生影响。但上述设置结构存在以下问题:1、由于金属遮光层需要连接固定电位,容易引入寄生电容;2、金属遮光层在受热后升温,相当于对有源层高温处理,会对TFT特性造成负面影响;3、显示面板内的光线经金属遮光层和其他各层金属反光后仍会对TFT特性产生不良影响。以上问题不利于进一步提高显示面板的分辨率以及提高背板特性。
因此,有关阵列基板的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种可以避免寄生电容、遮挡环境光照射有源层、提高显示面板开口率或降低制备工艺难度的阵列基板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例,该阵列基板包括:衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;有源层,所述有源层设置在所述第一表面上;非晶硅遮光层,所述非晶硅遮光层设置在所述衬底和所述有源层之间或者所述第二表面上;其中,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面或者所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。由此,由于非晶硅(a-Si)可以吸收整个波段的光线,采用非晶硅遮光层替代SH金属遮光层,不仅可以实现对TFT有源层的遮光效果,且无金属反光、加热等问题,有助于提升信赖性;采用非晶硅遮光层遮挡环境光,不存在电位连接的问题,可以减弱或避免寄生电容,在版图设计上有利于提升像素区开口率,在工艺方面可以降低工艺难度,提升产品良率;当非晶硅遮光层设置在第二表面上时,则非晶硅遮光层完全不会在显示面板内引入寄生电容,从而能够提升驱动电路性能,另外,非晶硅遮光层为整面结构或覆盖全部非发光区,遮光效果更佳,阵列基板的使用性能和可靠性更好。
根据本发明的实施例,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域,且所述阵列基板进一步包括:第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述非晶硅遮光层与所述衬底之间;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧。
根据本发明的实施例,所述非晶硅遮光层设置在所述第一表面上,所述有源层设置在所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧,且所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面。
根据本发明的实施例,所述非晶硅遮光层设置于所述第二表面上,所述有源层设置在所述第一表面上,所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖整个所述第一表面。
根据本发明的实施例,所述第一绝缘层设置于第一表面上,所述非晶硅遮光层设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧,所述第二绝缘层设置所述非晶硅遮光层远离所述衬底的一侧,所述有源层设置所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧,且所述非晶硅遮光层在所述第一表面上的正投影覆盖所述衬底的非发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的