[发明专利]一种(Bi1/2 有效
申请号: | 201711072282.6 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107892567B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 朱满康;郭志华;位秋梅;赵海燕;郑木鹏;侯育冬 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/622 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 bi base sub | ||
1.一种二元无铅压电陶瓷材料,其特征在于,通过引进类钙钛矿结构Bi(Mn2/3Sb1/3)O3,与Bi1/2K1/2TiO3形成二元无铅体系,形成准同型相界(MPB),通式为(1-x)(Bi1/2K1/2)TiO3-xBi(Mn2/3Sb1/3)O3,x为0<x≤0.05;其结构特征是体系具有四方和赝立方钙钛矿相共存结构。
2.制备权利要求1中所述的一种二元无铅压电陶瓷材料的方法,其特征在于,采用传统的陶瓷制备工艺,采用的原料包括化学纯或电子级K2CO3、Bi2O3、TiO2、MnCO3及Sb2O3;具体制备方法为:根据化学通式(1–x)(Bi1/2K1/2)TiO3-xBi(Mn2/3Sb1/3)O3的摩尔计量比称取原料;将原料K2CO3、Bi2O3、TiO2、MnCO3及Sb2O3在乙醇中球磨混合,以使其均匀;将混合均匀的原料烘干后装入氧化铝坩埚,在800~900℃煅烧2~5h;煅烧得到的粉料再球磨磨细,在200~500MPa的压力下压制成圆片;坯体在600~700℃排胶后,升温至1040~1070℃进行烧结,保温4~12h,获得Bi1/2K1/2TiO3-Bi(Mn2/3Sb1/3)O3陶瓷。
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