[发明专利]摄像器件和电子设备有效
申请号: | 201711072825.4 | 申请日: | 2014-02-17 |
公开(公告)号: | CN107706202B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 松本静德 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/378;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 器件 电子设备 | ||
1.一种摄像器件,其包括:
按行和列的形式布置着的多个像素,所述多个像素包括第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素、第六像素、第七像素和第八像素,所述第一像素和所述第二像素被连接至第i列信号线,所述第三像素和所述第四像素被连接至第i+1列信号线,所述第五像素和所述第六像素被连接至第i+2列信号线,且所述第七像素和所述第八像素被连接至第i+3列信号线;
第一比较器,所述第一比较器被连接至所述第i列信号线;
第二比较器,所述第二比较器被连接至所述第i+1列信号线;
第三比较器,所述第三比较器被连接至所述第i+2列信号线;
第四比较器,所述第四比较器被连接至所述第i+3列信号线;
第一晶体管,所述第一晶体管的源极和漏极中的一者被连接至所述第i列信号线,且所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一者被连接至所述第i+2列信号线;以及
第二晶体管,所述第二晶体管的源极和漏极中的一者被连接至所述第i+1列信号线,且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一者被连接至所述第i+3列信号线,
其中,所述第一像素和所述第五像素各者具有红色滤光片,所述第二像素、所述第三像素、所述第六像素和所述第七像素各者具有绿色滤光片,且所述第四像素和所述第八像素各者具有蓝色滤光片。
2.根据权利要求1所述的摄像器件,其中,所述第一比较器包括第一差分晶体管。
3.根据权利要求2所述的摄像器件,其中,所述第二比较器包括第二差分晶体管。
4.根据权利要求3所述的摄像器件,其中,所述第三比较器包括第三差分晶体管。
5.根据权利要求4所述的摄像器件,其中,所述第四比较器包括第四差分晶体管。
6.根据权利要求4所述的摄像器件,其中,所述第一比较器包括第一复位晶体管,所述第一复位晶体管的源极和漏极中的一者被连接至所述第一差分晶体管的漏极和源极中的一者,且所述第一复位晶体管的所述源极和所述漏极中的另一者被连接至所述第一差分晶体管的所述漏极和所述源极中的另一者。
7.根据权利要求6所述的摄像器件,其中,所述第一复位晶体管的栅极被配置成接收第一控制信号。
8.根据权利要求7所述的摄像器件,其中,所述第一晶体管的栅极被配置成接收第二控制信号。
9.根据权利要求8所述的摄像器件,其中,所述第一晶体管被配置成:在所述第一复位晶体管处于接通状态的同时,所述第一晶体管处于接通状态。
10.根据权利要求9所述的摄像器件,其中,所述第三比较器包括第二复位晶体管,所述第二复位晶体管的源极和漏极中的一者被连接至所述第三差分晶体管的漏极和源极中的一者,且所述第二复位晶体管的所述源极和所述漏极中的另一者被连接至所述第三差分晶体管的所述漏极和所述源极中的另一者。
11.根据权利要求10所述的摄像器件,其中,所述第二复位晶体管的栅极被配置成接收第三控制信号。
12.根据权利要求11所述的摄像器件,其中,所述第一晶体管被配置成:在所述第二复位晶体管处于接通状态的同时,所述第一晶体管处于接通状态。
13.根据权利要求1所述的摄像器件,其还包括:
第一参考信号生成电路,它被配置成输出第一参考信号;和
第二参考信号生成电路,它被配置成输出第二参考信号。
14.根据权利要求13所述的摄像器件,其中,所述第一参考信号不同于所述第二参考信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711072825.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的