[发明专利]摄像器件和电子设备

说明书

本技术涉及摄像器件和含有该摄像器件的电子设备，它们包括：按行和列布置着的包含第一至第八像素的多个像素，第一、第二像素被连接至第i列信号线，第三、第四像素被连接至第i+1列信号线，第五、第六像素被连接至第i+2列信号线，且第七、第八像素被连接至第i+3列信号线；分别连接至第i至第i+3列信号线的第一至第四比较器；第一晶体管，其源极和漏极中的一者被连接至第i列信号线、另一者被连接至第i+2列信号线；以及第二晶体管，其源极和漏极中的一者被连接至第i+1列信号线、另一者被连接至第i+3列信号线。第一、第五像素具有红色滤光片，第二、第三、第六和第七像素具有绿色滤光片，且第四、第八像素具有蓝色滤光片。

本申请是申请日为2014年2月17日、发明名称为“摄像器件”、且申请号为201710135309.5的专利申请的分案申请，上述专利申请是申请日为2014年2月17日、发明名称为“固体摄像器件、固体摄像器件驱动方法和电子设备”、且申请号为201480007095.8的专利申请的分案申请。

技术领域

本技术涉及摄像器件和电子设备，且更具体地，涉及能够以高的准确度来抑制AD转换时的线性(linearity)的劣化和因量子化误差而引起的量子化竖条纹(quantizationvertical streak)的固体摄像器件、固体摄像器件驱动方法和电子设备。

背景技术

CMOS(互补金属氧化物半导体：complementary metal oxide semiconductor)图像传感器能够利用与CMOS集成电路(IC：integrated circuit)一样的制造工艺而被制造出来、能够被单一电源驱动、且能够利用CMOS工艺而与模拟电路或逻辑电路一起被安装在同一芯片内。因此，CMOS图像传感器具有能够减少周边IC的数量等方面的一些优势。

因此，近年来，CMOS图像传感器作为代替CCD(电荷耦合器件：charge coupleddevice)图像传感器的图像传感器而已经引起了关注。

在CMOS图像传感器中，在把像素信号读出至外部时，对布置有多个单元像素的像素阵列部执行地址控制，且任意地选择来自各单元像素的像素信号。

而且，在CMOS图像传感器中，通过将坡面型AD(模拟数字：analog to digital)转换电路布置成列从而形成的列型AD转换电路能够被用作对从像素阵列部读取的模拟像素信号进行AD转换从而使其转换成数字信号的电路。

在这种类型的列型AD转换电路中，当通过增加被布置于像素阵列部中的像素数量来提高处理速度或帧速率时，被用作AD转换时的基准电压(斜坡状电压)的参考信号RAMP的坡面倾斜度变得更陡峭。由于这个影响，特别是在低增益或低灰度(低位)读取时，各列的AD转换点集中在坡面的一点上，且因此，发生了因为电源波动的影响而造成的线性的劣化或因为由低灰度所引起的量子化误差而造成的竖条纹。

作为用于防止这种现象的技术，本申请的申请人曾经提出了专利文献1中的技术。

专利文献1披露了如下的技术：通过在垂直信号线的复位读取时增大像素的复位脉冲的脉冲宽度或调节比较器的复位脉冲的脉冲宽度，且在用于对模拟像素信号与参考信号RAMP进行比较的比较器的输入电容的建立时期(settling period of time)的途中执行信号采样，由此嵌入噪声。

因为能够通过使用这种技术进行驱动而使复位电平分布扩展开，所以可以通过使列型AD转换电路的操作时期发生改变来防止能量的集中且抑制因量子化误差而引起的量子化竖条纹。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利特开JP 2009-38834A

发明内容

要解决的技术问题