[发明专利]一种导致继电器贮存退化的内部关键因素的分析方法有效

专利信息
申请号: 201711073253.1 申请日: 2017-11-04
公开(公告)号: CN107862130B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 叶雪荣;王清敏;武旸;林义刚;郑博恺;翟国富 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 导致 继电器 贮存 退化 内部 关键因素 分析 方法
【权利要求书】:

1.一种导致继电器贮存退化的内部关键因素的分析方法,其特征在于:它包括以下步骤:

步骤一:根据设计参数,建立继电器的仿真模型,并以此实现继电器动态特性仿真;

步骤二:根据步骤一中继电器动态特性仿真的结果,构建可反映继电器输出特性X与n个设计参数P之间函数关系的输出特性快速计算模型;

步骤三:应用蒙特卡洛抽样方法,在设计参数Pi的公差范围内进行随机抽样得到m个参数值,i=1,2,…n;并将所述m个参数值分别代入步骤二所述的输出特性快速计算模型中,计算得到m个继电器输出特性Xij的值,j=1,2,…m;

步骤四:对步骤三所得到的对应于各设计参数Pi的继电器输出特性Xij进行分布拟合,将n个设计参数所对应的输出特性Xij的分散程度由大到小进行排列,得到n个设计参数对继电器输出特性的影响程度排序;

步骤五:通过步骤四所述的影响程度排序,选出影响程度最大的前k个设计参数;

步骤六:对步骤五所选出的k个设计参数P′在贮存过程中的退化程度进行分析,确定其在最长贮存期时对应的退化量;

步骤七:以步骤六所述的退化量为中心值,通过设计参数P′的设计公差确定波动范围上下限,在此范围内进行蒙特卡洛抽样,得到m个参数值,将所述的m个参数值分别代入步骤二所述的输出特性快速计算模型中,计算得到对应每个选定设计参数的m个继电器输出特性X′ij的值,i=1,2,…k;j=1,2,…m;

步骤八:对步骤七所得到的对应于各设计参数P′i的继电器输出特性X′ij进行分布拟合,并根据失效阈值,计算对应于设计参数P′i贮存退化与公差范围的可靠度Ri

式中,DU,DL分别表示输出特性对应的失效阈值上下限;f(X′i)表示通过分布拟合得到的输出特性分布概率密度函数;

步骤九:对步骤八所得到的可靠度Ri进行排序,确定最小Ri所对应的设计参数即为导致继电器贮存退化的内部关键因素。

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