[发明专利]存储器件及其设置导电线的方法

说明书

一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年12月16日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请10-2016-0172242的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

示例实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地涉及存储器件和设置存储器件的导电线的方法。

背景技术

通常，半导体存储器件可以包括存储器单元阵列区域和外围区域，并且这两个区域可被设计为使用不同的电源电压。许多信号线和电源线可以布置在存储器单元阵列区域的上部。电源线可以以网格的形式设置，并且当电源线的网格紧凑时，可以稳定地提供电力。随着存储器件的集成度提高，可能难以设置信号线和电源线。

发明内容

一些示例实施例可以提供一种能够有效地设置信号线和电源线的存储器件和设置所述存储器件的导电线的方法。

根据示例实施例，一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：列选择信号线，形成在所述存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸；全局输入输出数据线，形成在所述存储器单元阵列区域中与所述第一列导电层不同的第二列导电层中并在列方向上延伸；以及电源线，形成在所述存储器单元阵列区域中所述第一列导电层和所述第二列导电层之间的屏蔽导电层中。

根据示例实施例，一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：局部输入输出数据线，形成在所述存储器单元阵列区域的第一导电层中并在行方向上延伸；列选择信号线，形成在与所述存储器单元阵列区域的所述第一导电层不同的所述存储器单元阵列区域的第二导电层中并且在垂直于行方向的列方向上延伸，其中所述第一导电层在所述第二导电层上方；电源线，形成在所述第二导电层上方的所述存储器单元阵列区域的第三导电层中；以及全局输入输出数据线，形成在所述第三导电层上方的所述存储器单元阵列区域的第四导电层中并在列方向上延伸。

根据示例实施例，一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：双字线结构、连接区域、子字线驱动器区域、读出放大器区域和子存储器单元阵列区域，所述双字线结构包括至少一条主字线和多条子字线，所述至少一条主字线在所述子存储器单元阵列区域和所述子字线驱动器区域上沿行方向延伸；字选择信号线和局部输入输出数据线，在所述连接区域和所述读出放大器区域上沿行方向延伸；以及列选择信号线和全局输入输出数据线，在所述读出放大器区域和所述子存储器单元阵列区域上沿垂直于行方向的列方向延伸。

根据示例实施例，一种设置包括存储器单元阵列区域的存储器件的导电线的方法包括：在所述存储器单元阵列区域的第一列导电层中形成在列方向上延伸的列选择信号线；在与所述存储器单元阵列区域的所述第一列导电层不同的所述存储器单元阵列区域的第二列导电层中形成在列方向上延伸的全局输入输出数据线；以及在所述存储器单元阵列区域中所述第一列导电层和所述第二列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线。

根据示例实施例的存储器件和相关联的方法可以通过在不同的列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线以及在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线来减少信号线和电源线中的噪声并增强存储器件的性能。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的设置存储器件的导电线的方法的流程图。

图2是示出根据示例实施例的导电线的设置结构的图。