[发明专利]腔室装卸载基片的方法有效
申请号: | 201711077605.0 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN109755163B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 张璐 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 装卸 载基片 方法 | ||
1.一种腔室装卸载基片的方法,其特征在于,包括装载步骤和卸载步骤,所述装载步骤包括:
S1,至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀,以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至所述腔室中;
S2,将基片放置在所述基座上并固定;
S3,开通所述背吹气路并打开气源,以使气源通过所述背吹气路和所述背吹通道向所述基片的背面供气;
在所述步骤S1之前还包括:
所述腔室开始执行抽真空动作;
移动所述基座至取片位置。
2.根据权利要求1所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,所述步骤S1,包括:
打开所述背吹气路上所有的控制阀,以使所述背吹气路中的所有被憋气体自所述基座的背吹通道释放至所述腔室中。
3.根据权利要求2所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,所述步骤S1中:
沿所述背吹气路的气体流向的反方向依次打开所述背吹气路上的所有的控制阀。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,在步骤S1中还包括:
开通释放气路,所述释放气路的一端连接在所述背吹通道和所述背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀之间;所述释放气路的另一端与所述腔室连通,以使所述被憋气体还自所述释放气路释放至所述腔室中;
所述步骤S3中还包括:
关闭所述释放气路。
5.根据权利要求4所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,
所述卸载步骤,包括:
S10,关闭气源和断开所述背吹气路,开通所述释放气路,使所述背吹气路上,沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀和所述基座之间的气路中的气体,释放至所述腔室内;
S11,释放所述基片。
6.根据权利要求1所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
打开所述腔室的门阀;
自所述门阀将所述基片放置在所述基座上;
关闭所述腔室的门阀;
移动所述基座至工艺位置;
将所述基片固定在所述基座上。
7.根据权利要求5所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
将所述基片放置在基座上;
采用静电吸附方式固定所述基片。
8.根据权利要求7所述的腔室装卸载基片的方法,其特征在于,所述步骤S11中包括:
中和静电吸附固定时所产生的静电电荷,以释放基片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711077605.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法
- 下一篇:晶圆装卸及充气系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造