[发明专利]腔室装卸载基片的方法

说明书

本发明提供一种腔室装载基片的方法，包括以下步骤：包括装载步骤和卸载步骤，所述装载步骤包括：S1，至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀，以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至腔室中；S2，将基片放置在所述基座上并固定；S3，开通所述背吹气路并打开气源，以使气源通过所述背吹气路和所述背吹通道向所述基片的背面供气。本发明对基片背吹时可以降低通气瞬间的压力，从而可以解决通气瞬间压力过大造成基片位置发生偏移的问题。

技术领域

本发明属于半导体加工设备技术领域，具体涉及腔室装卸载基片的方法。

背景技术

半导体器件的制造过程中，磁控溅射设备一般通过静电卡盘(Electrostaticchuck，简称ESC)产生静电引力来吸持固定和支撑晶片。在静电卡盘的使用过程中，为了使基片上的温度比较均匀，在基片和静电卡盘的上表面之间通背吹气体，该背吹气体在静电卡盘的作用下会在基片与静电卡盘之间形成背压。

图1为具有背吹管路的腔室结构示意图，请参阅图1，该背吹管路包括：主路10和支路20，主路10的一端与气源相连，一端与静电卡盘上的背吹通道相连，主路10上沿气流方向依次设置有第一阀11、流量控制器12和第二阀13，支路20的一端与第二阀13和背吹通道之间的管路连通，另一端与腔室1相连通；在支路20上设置有第三阀21。具体工作过程为：在基片固定在静电卡盘上后，第二阀13、流量控制器12和第一阀11打开，流量控制器12控制背吹气体的流量，此时，第三阀21关闭；在工艺完成之后，打开第三阀21并关闭第二阀13、流量控制器12和第一阀11，这样，第二阀13和基片S之间的残余气体经过支路20输送至腔室内，以经过腔室的冷泵抽走，防止残余气体对基片形成向上的作用力而使基片S的位置改变。

该腔室在使用过程中通常存在问题：背吹管路关闭后长时间保持未使用状态，在再次通气时会有相对较强的气流会冲击静电卡盘表面的基片，造成基片位置发生偏移，从而后续机械手取片操作时可能会造成基片撞裂甚至撞碎。为此，现有技术中采用的手段是：如图2所示，在基片固定在静电卡盘上之后，先打开第三阀21；再依次打开第二阀13、流量控制器12和第一阀11，此时，支路20能够分流来减少通往基片背面的气流压力，等待若干秒使得气流处于稳定状态后，关闭第三阀21，以确保流量控制器12准确控制向基片背吹的气流量，达到预期背压。

然而，采用上述现有技术的手段在实际应用中还存在以下问题：虽然支路20能够分流来减少到达基片背面的气流压力，但是，仍然存在到达基片背面的压力足够大造成基片的位置发生偏移的情况，影响后期取片操作。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室装卸载基片的方法，对基片背吹时可以降低通气瞬间的压力，从而可以解决通气瞬间压力过大造成基片位置发生偏移的问题。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种腔室装卸载基片的方法，包括装载步骤和卸载步骤，所述装载步骤包括：

S1，至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀，以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至所述腔室中；

S2，将基片放置在所述基座上并固定；

S3，开通所述背吹气路并打开气源，以使气源通过所述背吹气路和所述背吹通道向所述基片的背面供气。

优选地，所述步骤S1，包括：

打开所述背吹气路上所有的控制阀，以使所述背吹气路中的所有被憋气体自所述基座的背吹通道释放至所述腔室中。

优选地，所述步骤S1中：

沿所述背吹气路的气体流向的反方向依次打开所述背吹气路上的所有的控制阀。

优选地，在步骤S1中还包括：