[发明专利]一种SRAM译码电路和方法有效
申请号: | 201711078317.7 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107945826B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 聂玉庆;许悦 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | G11C8/10 | 分类号: | G11C8/10;G11C11/413;G11C11/418 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sram 译码 电路 方法 | ||
1.一种SRAM译码方法,其特征在于,该方法包括:
当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时,则确定存储空间可用的第二地址;
建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系,使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时,基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间;
其中,建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系,具体包括:
根据所述第一地址获得第一地址信号;其中,所述第一地址信号为所述第一地址的十六进制表达;
确定所述第一地址信号中特定位对应的控制信号;
更改所述控制信号,得到第二地址信号中的特定位;其中,所述特定位表征地址信号对应的地址类型,所述第二地址信号为所述第二地址的十六进制表达;
根据所述第二地址信号中的特定位得到所述第二地址。
2.如权利要求1所述的方法,所述SRAM的存储空间分为两个子存储空间,高地址和低地址分别对应所述两个子存储空间,其特征在于,确定存储空间可用的第二地址包括:
基于所述第一地址,确定所述第一地址对应的地址类型;其中,所述地址类型分为高地址和低地址;
基于所述第一地址对应的地址类型,确定所述第一地址对应的子存储空间;
在所述SRAM的存储空间中确定除所述第一地址对应的子存储空间外的目标子存储空间,从所述目标子存储空间中确定存储空间可用的所述第二地址。
3.一种SRAM译码电路,其特征在于,该电路包括:
地址模块,用于当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时,确定存储空间可用的第二地址;
映射模块,用于建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系,使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时,基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间;
其中,所述映射模块包括:
信号单元,用于根据所述第一地址获得第一地址信号;其中,所述第一地址信号为所述第一地址的十六进制表达;
更改单元,用于确定所述第一地址信号中特定位对应的控制信号,更改所述控制信号,得到第二地址信号中的特定位;其中,所述特定位表征地址信号对应的地址类型,所述第二地址信号为所述第二地址的十六进制表达;
地址单元,用于根据所述第二地址信号中的特定位得到所述第二地址。
4.如权利要求3所述的译码电路,所述SRAM的存储空间分为两个子存储空间,高地址和低地址分别对应所述两个子存储空间,其特征在于,所述地址模块还包括:
地址类型单元,用于基于所述第一地址,确定所述第一地址对应的地址类型;其中,所述地址类型分为高地址和低地址;
第一确定单元,用于基于所述第一地址对应的地址类型,确定所述第一地址对应的子存储空间;
第二确定单元,用于在所述SRAM的存储空间中确定除所述第一地址对应的子存储空间外的目标子存储空间,从所述目标子存储空间中确定存储空间可用的所述第二地址。
5.如权利要求3所述的译码电路,其特征在于,所述更改单元为第一选择器,所述第一选择器包括第一输入端、第二输入端、一个控制端和一个输出端;
从所述第一选择器的第一输入端输入所述第一地址信号中特定位对应的控制信号;
从所述第一选择器的第二输入端输入所述第二地址信号中特定位对应的控制信号;
所述第一选择器基于所述控制端输入的所述第一地址信号和所述第一地址信号中特定位对应的控制信号,从所述输出端输出所述第二地址信号特定位对应的控制信号。
6.如权利要求3所述的译码电路,其特征在于,所述地址单元为第二选择器,所述第二选择器包括第一输入端、第二输入端、一个控制端和一个输出端;
从所述第二选择器的第一输入端输入所述第一地址信号;
从所述第二选择器的第二输入端输入所述第二地址信号;
所述第二选择器基于所述控制端输入的第一地址信号和所述第一地址信号中特定位对应的控制信号,建立所述第一地址信号和所述第二地址信号的映射关系,从所述输出端输出所述第二地址信号。
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