[发明专利]一种SRAM译码电路和方法

说明书

本发明公开了一种SRAM译码电路和方法，该方法包括：当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时，则确定存储空间可用的第二地址；建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系，使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时，基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间，使得用户在SRAM地址不可用的情况下，也能完成连续存储的操作。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种SRAM译码电路和方法。

背景技术

SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，具有速度快、功耗低的优点，被广泛用于CPU(Central Processing Unit，中央处理器)与主存之间的高速缓存。

但由于在生产过程中的铸造工艺容易造成SRAM内部的某个或某些地址存在瑕疵，从而导致该部分地址不可用。那么在用户需要使用一段连续的地址的情况下，这些不可用的地址就会让用户无法完成连续的存储操作，用户体验不友好。

发明内容

本发明提供一种SRAM译码电路和方法，用以解决现有技术中在SRAM地址不可用的情况下，用户无法完成连续存储操作的问题。

本发明实施例提供了一种SRAM译码方法，该方法包括：

当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时，则确定存储空间可用的第二地址；

建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系，使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时，基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间。

可选的，所述SRAM的存储空间分为两个子存储空间，所述高地址和低地址分别对应所述两个子存储空间，确定存储空间可用的第二地址包括：

基于所述第一地址，确定所述第一地址对应的地址类型；其中，所述地址类型分为高地址和低地址；

基于所述第一地址对应的地址类型，确定所述第一地址对应的子存储空间；

在所述SRAM的存储空间中确定除所述第一地址对应的子存储空间外的目标子存储空间，从所述目标子存储空间中确定存储空间可用的所述第二地址。

可选的，建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系具体包括：

根据所述第一地址获得第一地址信号；其中，所述第一地址信号为所述第一地址的十六进制表达；

更改所述第一地址信号中的特定位，得到所述第二地址信号中的特定位；其中，所述特定位表征地址信号对应的地址类型，所述第二地址信号为所述第二地址的十六进制表达；

根据所述第二地址信号中的特定位得到所述第二地址。

可选的，更改所述第一地址信号中的特定位，得到所述第二地址信号中的特定位具体包括：

确定所述第一地址信号中特定位对应的控制信号；

更改所述控制信号，得到所述第二地址信号中的特定位。

本发明实施例还提供了一种SRAM译码电路，该电路包括：

地址模块，用于当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时，确定存储空间可用的第二地址；

映射模块，用于建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系，使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时，基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间。

可选的，所述SRAM的存储空间分为两个子存储空间，所述高地址和低地址分别对应所述两个子存储空间，所述地址模块还包括：