[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

清洗硅片；

将清洗后的硅片进行硅片表面氧化；

将氧化后的硅片进行镀膜；

其中，所述将清洗后的硅片进行硅片表面氧化，具体为：将清洗后的硅片置于湿度为30％～60％，温度为15～40℃的恒温恒湿箱内，放置30分钟到5小时，使硅片表面形成氧化层；

其中，所述将氧化后的硅片进行镀膜，具体为：在硅片上形成本征非晶硅层、P型非晶硅层、N型非晶硅层，然后进行TCO溅射。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度小于1nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片为单多晶硅片。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：

将制绒后的硅片，做完标准清洗流程之后再进行氧化。