[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

说明书

本发明公开了太阳能电池的制备方法，包括：清洗硅片；将清洗后的硅片在恒温恒湿条件下，放置预设时间，使硅片表面形成氧化层；将放置后的硅片进行镀膜。本发明提供的太阳能电池的制备方法，把清洗后的硅片置于恒温恒湿条件下预设时间，使得硅片表面会自然氧化，即硅片表面的硅原子与空气中的氧原子结合，发生化学反应，形成氧化层，再取出硅片进行正常的镀膜流程；该氧化层既提高了硅片表面钝化效果，又不影响电导率，有利于后续镀膜制备高质量的本征层，从而利于提升硅片的少子寿命。

技术领域

本发明涉及太阳能电池加工领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。

背景技术

近年来，随着太阳能电池技术的飞速发展，其性能显现出质的改变，尤其是转换效率逐年提高，晶体硅电池，特别是硅基异质结电池的效率更是遥遥领先，日本Kaneka最新公布的HBC电池转换效率已达到26.6％。

然而，对于硅基异质结太阳能电池而言，其高效的主要优势在于高开压，但此优势的前提必须建立在高少子寿命的基础上，因此，研究提升异质结电池少子寿命的方法势在必行。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池的制备方法，以解决现有技术中的问题，有利于提升晶硅电池的少子寿命。

本发明提供一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：

一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：

清洗硅片；

将清洗后的硅片进行硅片表面氧化；

将氧化后的硅片进行镀膜。

作为优选，所述将清洗后的硅片进行硅片表面氧化，具体为：将清洗后的硅片放置在自然条件下，使硅片表面进行自然氧化。

作为优选，所述将清洗后的硅片进行硅片表面氧化，具体为：将清洗后的硅片在恒温恒湿条件下，放置预设时间，使硅片表面形成氧化层。

作为优选，所述将清洗后的硅片进行硅片表面氧化，具体为：将清洗后的硅片置于恒温恒湿箱内，并在预设的恒温恒湿条件下，放置预设时间，使硅片表面形成氧化层。

作为优选，所述恒温恒湿条件中的温度为15～40℃。

作为优选，所述预设时间为30分钟到5小时。

作为优选，所述恒温恒湿条件中的湿度为30％～60％。

作为优选，所述氧化层的厚度小于1nm。

作为优选，所述硅片为单多晶硅片。

作为优选，所述制备方法具体包括：

将制绒后的硅片，做完标准清洗流程之后再进行氧化；

将氧化后的硅片依次进行正面沉积、背面沉积、透明导电膜层制备及丝网印刷。

本发明提供的太阳能电池的制备方法，把清洗后的硅片进行表面氧化，即硅片表面的硅原子与氧原子结合，发生自然化学反应，形成氧化层，再取出硅片进行正常的镀膜流程；该氧化层既提高了硅片表面钝化效果，又不影响电导率，有利于后续镀膜制备高质量的本征层，从而利于提升硅片的少子寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

实施例一