[发明专利]衬底结构、包含衬底结构的半导体封装和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711085518.X 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN109326574B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 施佑霖;李志成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 衬底 结构 包含 半导体 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,其包括:

衬底结构,其包含:

介电层;

第一电路层,其邻近于所述介电层的第一表面,其中所述第一电路层包括至少一个凸块衬垫;

导电结构,其包含第一部分和第二部分,其中所述第一部分位在所述第一电路层的所述至少一个凸块衬垫上;以及

第一保护层,其位在所述第一电路层和所述介电层上,且接触所述导电结构的所述第一部分的侧壁的至少一部分,其中所述第一电路层与所述导电结构一体地形成;

半导体裸片,其位在所述衬底结构上且电连接到所述导电结构的所述第二部分;以及

封装体,其覆盖所述半导体裸片和所述衬底结构。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一保护层具有上表面且所述导电结构的所述第一部分具有上表面,并且所述第一保护层的所述上表面不与所述导电结构的所述第一部分的所述上表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述导电结构的所述第一部分与所述导电结构的所述第二部分一体地形成,且所述导电结构的所述第一部分的最小宽度大于所述导电结构的所述第二部分的最小宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一电路层的所述至少一个凸块衬垫界定至少一个第一孔,且所述介电层填充所述至少一个第一孔的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体封装,其中所述导电结构的所述第一部分界定至少一个第二孔,其与所述第一电路层的所述至少一个凸块衬垫的所述至少一个第一孔连通,且所述介电层填充所述至少一个第二孔的至少一部分。

6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中所述导电结构的所述第二部分界定至少一个第三孔,其与所述导电结构的所述第一部分的所述至少一个第二孔连通,且所述介电层填充所述至少一个第三孔的至少一部分。

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