[发明专利]一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法

权利要求书

1.一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：获取无机半导体层的电阻-温度曲线并内置于控制单元中；

S2：所述有机发光器件，包括：基板(1)、形成于基板(1)上的电极(2)和有机器件(3)，以及封装结构，所述封装结构包括至少三层且其中一层为无机半导体层(4)，所述无机半导体层(4)与所述有机器件(3)间隔至少一层绝缘层；所述无机半导体层(4)电连接至所述封装结构外部；将所述有机发光器件的无机半导体层与控制单元电连接；

S3：控制单元实时获取无机半导体层电阻信息并查找电阻-温度曲线，获取有机发光器件实时信息。

2.根据权利要求1所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，在步骤S3之后还包括以下步骤：

S4：有机器件与控制单元电连接，当有机器件温度高于温度限值时，控制单元控制切断线路。

3.根据权利要求2所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述温度限值为100℃。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)的厚度大于100nm。

5.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)的厚度大于1μm。

6.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)为Si、SiO2、TiO2、Ge或硅锗合金，且所述无机半导体层(4)与所述电极(2)相搭接。

7.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述绝缘层为有机或无机材料。

8.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)远离所述有机器件(3)的一侧设有封装层。

9.根据权利要求8所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述绝缘层、无机半导体层或封装层分别至少包括一层。