[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

成蜂巢结构的多个下电极；以及

连接并支撑所述多个下电极的支撑结构，所述支撑结构包括多个敞开区域，所述多个下电极由所述多个敞开区域暴露，

其中成所述蜂巢结构的所述多个下电极被布置为使得在六边形的中心点处的一个下电极和在所述六边形的顶点处并与所述一个下电极相邻的六个下电极构成第一六边形结构，在所述第一六边形结构的所述顶点处的所述六个下电极用作在六个其它六边形结构的中心点处的下电极，在所述第一六边形结构的所述中心点处的所述一个下电极用作在六个其它六边形结构的每个的六个顶点中的一个处的下电极，以及

其中所述多个敞开区域暴露在所述第一六边形结构的所述中心点处的所述一个下电极的三个侧面区域、以及在所述第一六边形结构的所述顶点处的所述六个下电极的两个侧面区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑结构包括：

在圆形结构内部的第一支撑图案，所述圆形结构由包围所述多个敞开区域当中的一组圆形地提供的敞开区域的虚拟线限定；以及

第二支撑图案，其在所述圆形结构外部并与所述第一支撑图案间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一六边形结构的所述中心点处的所述一个下电极仅与所述第二支撑图案接触，在所述第一六边形结构的所述顶点处的所述六个下电极与所述第一支撑图案和所述第二支撑图案两者接触。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一支撑图案的直径大于所述多个下电极的每个的直径，所述圆形结构的直径大于所述第一支撑图案的直径。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述圆形结构的中心点和所述第一支撑图案的中心点彼此相同。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一支撑图案和所述第二支撑图案具有不同的形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个敞开区域具有环形，每个包括三个分离的子区域，以及

所述三个子区域的每个暴露所述多个下电极当中的三个相邻下电极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述三个相邻下电极中的一个的由所述三个子区域中的一个暴露的暴露区域不同于所述三个相邻下电极中的另外两个的每个的暴露区域。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述三个子区域具有彼此基本上相同的平面尺寸。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个敞开区域部分地暴露所有的所述多个下电极的侧面部分。

11.一种半导体器件，包括：

在衬底上的多个下电极，所述多个下电极在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上以形成行和列；以及

具有平板形式的支撑结构，所述支撑结构连接并支撑所述多个下电极，所述支撑结构包括限定在其中的多个敞开区域，所述支撑结构包括在第三方向上成交替方式的两种不同的形状，所述多个敞开区域具有相同的形状并部分地暴露所有的所述多个下电极的侧面。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述多个敞开区域形成多个圆形结构以形成在所述第一方向上的多个行和在所述第二方向上的多个列，以及

所述多个圆形结构的每个由包围所述多个敞开区域当中的一组圆形地提供的敞开区域的虚拟线限定。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述多个敞开区域中的在第一行上的第一组相对于所述多个敞开区域中的在与所述第一行相邻的第二行上的第二组以未对准的方式被提供。