[发明专利]一种应用于薄膜体声波器件的高散热陶瓷外壳结构

说明书

本发明公开了一种应用于薄膜体声波器件的高散热陶瓷外壳结构，在外壳内外表面设有顶部焊盘和底部焊盘，薄膜体声波芯片通过倒装焊工艺与顶部焊盘焊接。在外壳与薄膜体声波芯片对应的区域沿厚度方向设有若干贯通的热阱，热阱内填充有导热金属以形成导热柱，热阱两端形成有横截面大于热阱横截面的金属盘，两端的金属盘与导热柱一体成型。在外壳上还设有若干上下贯通的结构通孔，在结构通孔内填充有金属以形成应力匹配柱。本发明通过热阱结构，提升外壳的散热效能，解决了薄膜体声波器件在高功率工作下的散热问题。通过结构通孔将金属和陶瓷的比例进行合理调配，使陶瓷外壳在烧结的时候不会出现应力失配的情况。

技术领域

本发明涉及薄膜体声波器件，具体涉及一种应用于薄膜体声波器件的高散热陶瓷外壳结构，属于薄膜体声波滤波器封装领域。

背景技术

由于薄膜体声波器件工作在很高的功率下，其器件的整体温度很高。为保证器件的稳定运行，需要将芯片工作时产生的热量尽快的导出到外壳以外。

普通陶瓷外壳设计如图1所示，薄膜体声波芯片5通过倒装焊与外壳1固定，在外壳1内表面安装芯片位置设有顶部焊盘2（信号焊盘），在外壳外表面设有对应的底部焊盘3（接地焊盘），顶部焊盘2和底部焊盘3之间通过信号连通孔4连通，即倒装焊接工艺通过该信号连通孔，将信号从顶部焊盘导出到底部焊盘。上述外壳在设计上只考虑到芯片接地的情况，所以虽然有很大的金属面，但仅仅以很小的通孔连接到外壳的外部，无法实现芯片的快速导热。这样的设计，在器件大功率运行时，无法保证芯片表面的热很快的导出到外壳的外部，容易导致芯片的温度过高，影响器件的稳定运行。

总之，现有薄膜体声波器件采用普通外壳进行封装，散热效果差，器件在高功率工作时温度高，器件性能下降。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的是提供一种提高外壳散热效能，降低芯片工作时温度，保证器件稳定运行的应用于薄膜体声波器件的高散热陶瓷外壳结构。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种应用于薄膜体声波器件的高散热陶瓷外壳结构，在外壳内表面安装薄膜体声波芯片位置设有顶部焊盘，在外壳外表面设有对应的底部焊盘，顶部焊盘和底部焊盘之间通过信号连通孔连通，薄膜体声波芯片通过倒装焊工艺与所述顶部焊盘焊接，从而实现与外壳固定；其特征在于：在外壳与薄膜体声波芯片对应的区域沿厚度方向设有若干贯通的热阱，热阱内填充有导热金属以形成导热柱，热阱两端形成有横截面大于热阱横截面的金属盘，两端的金属盘与导热柱一体成型，其中一端的金属盘背向导热柱的那面与芯片全接触并构成导热盘，另一端的金属盘位于壳体外并则构成散热盘。

进一步地，在外壳上还设有若干上下贯通的结构通孔，在结构通孔内填充有金属以形成应力匹配柱，结构通孔的数量及大小用于调节金属和陶瓷的比例，以确保外壳在烧结的时候不会出现应力失配现象。

相比现有技术，本发明具有如下有益效果：

1、本发明通过热阱结构设计，提升外壳的散热效能，解决了薄膜体声波器件在高功率工作下的散热问题。

2、通过结构通孔将金属和陶瓷的比例进行合理调配，使陶瓷外壳在烧结的时候不会出现应力失配的情况，保证基板的平整度。

附图说明

图1-现有技术结构示意图。

图2-本发明结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本发明进行详细描述。