[发明专利]供给装置和基板处理装置有效
申请号: | 201711090661.8 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN108063105B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 广木勤 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D23/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;梁霄颖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供给 装置 处理 | ||
本发明提供一种将温度的不同的两种热交换介质交替供给到载置台的供给装置。供给装置具有一个以上的阀装置。一个以上的阀装置各自具有筒状的外壳和轴体。外壳提供第一~第二入口和第一~第二出口。第一~第二入口分别与第一~第二介质温度调节器连接。第一~第二出口与载置台的对应的区域连接。轴体插入外壳内。在轴体形成有第一供给槽和第二供给槽。轴体的绕中心轴线的旋转角度位置处于第一角度范围时,第一供给槽连接第一入口和第一出口,轴体的绕中心轴线的旋转角度位置处于第二角度范围时,第二供给槽连接第二入口和第二出口。
技术领域
本发明的实施方式涉及供给装置和基板处理装置。
背景技术
在半导体器件等电子器件的制造中,使用基板处理装置。基板处理装置一般来说具有腔室主体和载置台。载置台支承配置在其上的基板,设置在腔室主体内。
在使用基板处理装置的基板处理中,对腔室主体内供给处理气体,配置在载置台上的基板被该处理气体处理。在基板处理中,要求调整基板的温度。为了调整基板的温度,基板处理装置对载置台供给热交换介质。这样的基板处理装置记载于下述的专利文献1和专利文献2。
在专利文献1和专利文献2中记载的基板处理装置中,第一热交换介质和具有与该第一热交换介质的温度不同的温度的第二热交换介质被交替地供给到载置台的多个区域。在该基板处理装置中,通过调整第一热交换介质供给到载置台的时间和第二热交换介质供给到载置台的时间长度,来调整基板的温度。
专利文献1和专利文献2中记载的基板处理装置,为了一个区域而具有二个三通阀和二个开闭阀、即四个阀装置。由此,该基板处理装置中的阀装置的个数是一个区域用的阀装置的个数(四个)与区域数的乘积。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-12593号公报
专利文献2:日本特开2016-81158号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
如上所述为了将第一热交换介质和第二热交换介质交替供给到载置台而需要多个阀装置。由此,要求减少阀装置的个数,减小装置的尺寸。另外,为了将第一热交换介质和第二热交换介质交替供给到载置台,进行开闭阀和三通阀的高速动作。于是要求提高阀装置的动作速度和耐久性。
用于解决技术问题的技术方案
在一个方式中,提供一种供给装置,其对支承基板的载置台的一个以上的区域交替供给从第一介质温度调节器输出的第一热交换介质和具有与该第一热交换介质的温度不同的温度的从第二介质温度调节器输出的第二热交换介质。供给装置包括第一供给线路、第二供给线路、一个以上的第三供给线路、一个以上的第四供给线路和一个以上的阀装置。第一供给线路与第一热交换介质的输出用的第一介质温度调节器的供给端口连接。第二供给线路与第二热交换介质的输出用的第二介质温度调节器的供给端口连接。一个以上的第三供给线路用于将来自第一供给线路的第一热交换介质分别中继到一个以上的区域。一个以上的第四供给线路用于将来自第二供给线路的第二热交换介质分别中继到一个以上的区域。一个以上的阀装置分别对一个以上的区域中的一个对应的区域交替供给第一热交换介质和第二热交换介质。一个以上的阀装置各自包括筒状的外壳、轴体和驱动装置。外壳提供第一入口、第二入口、第一出口和第二出口。第一入口与第一供给线路连接,第二入口与第二供给线路连接,第一出口与用于向一个对应的区域中继第一热交换介质的一个以上的第三供给线路中的一个第三供给线路连接,第二出口与用于向一个对应的区域中继第二热交换介质的一个以上的第四供给线路中的一个第四供给线路连接。轴体插入外壳内。在轴体形成有相对于该轴体的中心轴线在周向上延伸的第一供给槽和第二供给槽。轴体的绕中心轴线的旋转角度位置处于第一角度范围时,第一供给槽连接第一入口和第一出口,轴体的绕上述中心轴线的旋转角度位置处于第二角度范围时,第二供给槽连接第二入口和第二出口。驱动装置用于使轴体绕中心轴线旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造