[发明专利]用于三维存储器的擦除验证方法以及存储器系统有效
| 申请号： | 201711097517.7 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109767805B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 古绍泓;黄昱闳;程政宪;李致维;铃木淳弘;蔡文哲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储器 擦除 验证 方法 以及 系统 | ||
1.一种用于三维存储器的擦除验证方法，该三维存储器包括至少一存储单元串，该至少一存储单元串包括多个存储单元，所述存储单元包括一第一组存储单元以及一第二组存储单元，各所述存储单元耦接于一字线，该擦除验证方法包括：
对该第一组存储单元执行一第一擦除验证操作；以及
在对该第一组存储单元执行该第一擦除验证操作后，在该第一组存储单元被验证为擦除成功的情况下，对该第二组存储单元执行一第二擦除验证操作；
其中该第一擦除验证操作包括：
在该第一擦除验证作的一第一阶段，施加一擦除验证电压至耦接于该第一组存储单元的一第一部份存储单元的所述字线以及一第一通过电压至耦接于该第一组存储单元的一第二部份存储单元的所述字线，该第一组存储单元的该第二部份存储单元不同于该第一组存储单元的该第一部份存储单元；以及
在该第一擦除验证作的该第一阶段之后，在该第一擦除验证作的一第二阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第一组存储单元的该第二部份存储单元的所述字线以及该第一通过电压至耦接于该第一组存储单元的该第一部份存储单元的所述字线；
其中该第二擦除验证操作包括：
在该第二擦除验证作的一第一阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第二组存储单元的一第一部份存储单元的所述字线以及一第二通过电压至耦接于该第二组存储单元的一第二部份存储单元的所述字线，该第二组存储单元的该第二部份存储单元不同于该第二组存储单元的该第一部份存储单元；以及
在该第二擦除验证作的该第一阶段之后，在该第二擦除验证作的一第二阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第二组存储单元的该第二部份存储单元的所述字线以及该第二通过电压至耦接于该第二组存储单元的该第一部份存储单元的所述字线。
2.如权利要求1所述的擦除验证方法，其中该第一组存储单元彼此相邻，以及该第二组存储单元彼此相邻。
3.如权利要求1所述的擦除验证方法，其中该第一通过电压大于该第二通过电压。
4.如权利要求1所述的擦除验证方法，其中所述字线包括交错排列的多条偶数字线以及多条奇数字线，该第一组存储单元的该第一部份存储单元连接至耦接于该第一组存储单元的所述字线的所述奇数字线，以及该第一组存储单元的该第二部份存储单元连接至耦接于该第一组存储单元的所述字线的所述偶数字线。
5.如权利要求1所述的擦除验证方法，其中该第二擦除验证操作包括：
在该第二擦除验证作的一第一阶段，施加一擦除验证电压至耦接于该第二组存储单元的一第一部份存储单元的所述字线以及一第二通过电压至耦接于该第二组存储单元的一第二部份存储单元的所述字线，该第二组存储单元的该第二部份存储单元不同于该第二组存储单元的该第一部份存储单元；以及
在该第二擦除验证作的该第一阶段之后，在该第二擦除验证作的一第二阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第二组存储单元的该第二部份存储单元的所述字线以及该第二通过电压至耦接于该第二组存储单元的该第一部份存储单元的所述字线。
6.如权利要求5所述的擦除验证方法，其中所述字线包括交错排列的多条偶数字线以及多条奇数字线，该第二组存储单元的该第一部份存储单元连接至耦接于该第二组存储单元的所述字线的所述奇数字线，以及该第二组存储单元的该第二部份存储单元连接至耦接于该第二组存储单元的所述字线的所述偶数字线。
7.如权利要求1所述的擦除验证方法，更包括：
在该第一组存储单元被验证为擦除不成功或该第二组存储单元被验证为擦除不成功的情况下，提高一擦除电压；以及
施加该提高的擦除电压以擦除该至少一存储单元串。
8.一种存储器系统，包括：
一三维存储器，包括垂直延伸通过该三维存储器的多层的至少一存储单元串，该至少一存储单元串包括多个存储单元，所述存储单元包括一第一组存储单元及一第二组存储单元，各所述存储单元耦接于一字线；以及
一控制器，耦接于该三维存储器，用以对该第一组存储单元执行一第一擦除验证操作，以及在对该第一组存储单元执行该第一擦除验证操作后，该第一组存储单元被验证为擦除成功的情况下，对该第二组存储单元上执行一第二擦除验证操作；
其中该第一擦除验证操作包括：
在该第一擦除验证作的一第一阶段，施加一擦除验证电压至耦接于该第一组存储单元的一第一部份存储单元的所述字线以及一第一通过电压至耦接于该第一组存储单元的一第二部份存储单元的所述字线，该第一组存储单元的该第二部份存储单元不同于该第一组存储单元的该第一部份存储单元；以及
在该第一擦除验证作的该第一阶段之后，在该第一擦除验证作的一第二阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第一组存储单元的该第二部份存储单元的所述字线以及该第一通过电压至耦接于该第一组存储单元的该第一部份存储单元的所述字线；
其中该第二擦除验证操作包括：
在该第二擦除验证作的一第一阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第二组存储单元的一第一部份存储单元的所述字线以及一第二通过电压至耦接于该第二组存储单元的一第二部份存储单元的所述字线，该第二组存储单元的该第二部份存储单元不同于该第二组存储单元的该第一部份存储单元；以及
在该第二擦除验证作的该第一阶段之后，在该第二擦除验证作的一第二阶段，施加该擦除验证电压至耦接于该第二组存储单元的该第二部份存储单元的所述字线以及该第二通过电压至耦接于该第二组存储单元的该第一部份存储单元的所述字线。
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