[发明专利]等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置

说明书

本发明为了提供一种可以应对基板大型化且可以确保等离子体密度均匀性的等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置，包含供给高频电力的高频电源、以所述高频电力为基础向工序空间产生等离子体的天线及被配置在所述工序空间和所述天线之间的非磁性体，所述天线和所述非磁性体的间隔根据区域而不同，其中，所述区域根据可以使在所述工序空间产生的所述等离子体的密度均匀而设定。从而，本发明可以处理大型基板，使生成更加均匀的等离子体成为可能，具有可以制造品质优良的基板的效果。

技术领域

本发明涉及一种等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置，特别是在配置有基板的工序空间里生成等离子体的等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置通常意味着以等离子体为基础来处理基板的装置。等离子体处理装置以沉积、蚀刻或离子植入等多种方式实施对基板的处理。特别是，最近对于可获得高密度等离子体的感应耦合等离子体处理装置的研究与开发进行地很活跃。

关于感应耦合等离子体处理装置的以往的技术已在韩国专利公开号第2016-0068254号(“等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置”，2016年06月15日)公开。上述公开的发明包含在配置有基板的腔室内部产生感应耦合等离子体的等离子体发生模块。在此，等离子体发生模块包含多个天线及配置成与各个多个天线对应的电介质窗，以便可以应对基板的大型化。

只是，以往的等离子体发生模块因配置在天线下部的电介质窗的低强度，从而在大型化上存在困难。另外，以往的等离子体发生模块存在由于产生在基板的中央区域和边缘区域的等离子体的密度差而造成的基板处理均匀性下降的问题。

现有技术文献

专利文献：韩国专利公开号第2016-0068254号(“等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置”，2016年06月15日)

发明内容

所要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供一种可以应对基板大型化的等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置。

另外，本发明的另一目的在于，提供一种可以确保等离子体密度均匀性的等离子体发生模块及包含该模块的等离子体处理装置。

解决上述技术问题的方案

本发明中的等离子体发生模块包含供给高频电力的高频电源、以所述高频电力为基础向工序空间产生等离子体的天线及被配置在所述工序空间和所述天线之间的非磁性体，所述天线和所述非磁性体的间隔根据区域而不同，其中，所述区域根据可以使在所述工序空间产生的所述等离子体的密度均匀而设定。

所述天线可以包含被配置在所述非磁性体的中央区域上部的第一天线及被配置在所述非磁性体的边缘区域上部的第二天线。

所述第一及第二天线可以被配置在同样的高度上，所述非磁性体，其被配置在所述第一天线下侧的中央区域的厚度可以比被配置在所述第二天线下侧的边缘区域的厚度厚。

所述等离子体发生模块还可以包含区划所述非磁性体，以使所述非磁性体分离为配置在中央区域的第一窗及配置在边缘区域的第二窗的框体。

所述第一窗的厚度可以比所述第二窗的厚度厚。

所述第二窗可以具有从相邻于所述第一窗的一区域朝向另一区域的倾斜面。

所述框体可以使所述第一及第二窗相互绝缘。

所述框体可以包含气体供给部和气体喷出孔，其中，所述气体供给部形成有从外部被供给的工序气体扩散的空间，所述气体喷出孔使所述工序气体向所述工序空间喷出。

所述第一及第二窗面向所述工序空间的一面可以被配置为相互平行。