[发明专利]具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体晶片的方法，包括：

切割半导体晶锭，以获得半导体晶片所包括的具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片；

在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上形成钝化层；

在所述后侧表面上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成连续阻挡层，所述连续阻挡层被配置成用于从半导体切片的外侧或内侧吸收杂质；

完全去除连续阻挡层；以及

对所述半导体晶片进行后侧处理，其中，所述后侧处理包括以下中的至少一种：通过所述半导体晶片的后侧上的后侧表面注入掺杂剂、在所述后侧表面上形成后侧金属化部和使所述半导体晶片产生凹陷，

其中，由所述半导体晶片的残留部分形成的支撑环通过选择性地使所述半导体切片的圆形内区段凹陷形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述钝化层直接形成在所述前侧表面上，所述阻挡层直接形成在所述后侧表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

所述钝化层在形成所述阻挡层之前直接形成在至少所述后侧表面上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

直接在所述前侧表面上形成所述钝化层；以及

在形成所述阻挡层之前，直接在所述后侧表面上由多晶硅形成辅助层。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

在形成所述阻挡层之前，在所述后侧表面上由多晶硅形成辅助层。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中

所述钝化层通过所述半导体切片的氧化形成。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中

所述钝化层的在所述前侧表面上的一部分由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中

所述半导体切片是从圆柱形半导体晶锭切割的。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中

所述半导体切片是从具有与纵向轴线正交的多边形横截面的半导体晶锭切割的。

10.一种半导体晶片，其中，所述半导体晶片根据权利要求1至9中任一项所述的方法制造。

11.根据权利要求10所述的半导体晶片，其中

所述半导体切片的外侧向表面包括平坦部和凹口中的至少一个。

12.根据权利要求10所述的半导体晶片，其中

所述半导体切片的外侧向表面包括四个正交区段。

13.一种制造半导体器件的方法，包括：

在包括半导体切片的半导体晶片的前侧处形成半导体元件，以及在与所述前侧相反的后侧上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成连续阻挡层，所述连续阻挡层被配置成用于从半导体切片的外侧或内侧吸收杂质；

在所述前侧处形成电连接到所述半导体元件的前侧金属化部；

完全去除连续阻挡层；

对所述半导体晶片进行后侧处理，其中，所述后侧处理包括以下中的至少一种：通过所述半导体晶片的后侧上的后侧表面注入掺杂剂、在所述后侧表面上形成后侧金属化部和使所述半导体晶片产生凹陷，

其中，由所述半导体晶片的残留部分形成的支撑环通过选择性地使所述半导体切片的圆形内区段凹陷形成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中

形成所述阻挡层包括离子束合成和随后的热处理，所述离子束合成包括在所述半导体切片的后侧上注入(i)碳和(ii)氮和过渡金属原子中的至少一种，所述热处理形成碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种的微晶。