[发明专利]具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法

说明书

切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。

技术领域

本发明涉及一种制造半导体晶片的方法、一种半导体晶片、一种制造半导体器件的方法、一种半导体器件以及一种光伏电池。

背景技术

在制造过程中无意中引入半导体器件的污染物对器件功能和可靠性有不利的影响。吸杂技术旨在通过为空闲器件区域中的污染物提供合适的收集位置来使污染物远离半导体器件的有源器件区域。例如，在丘克拉斯基硅中，过饱和氧形成了形成半导体器件的大批半导体晶片中的收集位置。喷砂、PBS(多晶硅背封，Polysilicon Back Sealing)、激光损伤和其它方法可能在半导体晶片的背部上形成吸杂位置。PBS的吸杂效率通常取决于晶粒尺寸以及沉积条件并且随着热处理和氧化的时间的延长而恶化。

需要可靠地使污染物远离半导体晶片和半导体器件的有源器件区域。

发明内容

本公开涉及一种制造半导体晶片的方法，其中，所述方法包括：切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和平行于所述前侧表面的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。在所述后侧表面上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成阻挡层。

根据一个可选的实施例，所述阻挡层直接形成在所述后侧表面上。

根据一个可选的实施例，所述钝化层在形成所述阻挡层之前直接形成在至少所述后侧表面上。

根据一个可选的实施例，所述方法还包括：在形成所述阻挡层之前，直接在所述后侧表面上由多晶硅形成辅助层。

根据一个可选的实施例，所述方法还包括：在形成所述阻挡层之前，在所述后侧表面上由多晶硅形成辅助层。

根据一个可选的实施例，所述钝化层通过所述半导体切片的氧化形成。

根据一个可选的实施例，所述钝化层的在所述前侧表面上的一部分由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成。

根据一个可选的实施例，所述半导体切片是从圆柱形半导体晶锭切割的。

根据一个可选的实施例，所述半导体切片是从具有与纵向轴线正交的多边形横截面的半导体晶锭切割的。

本公开还涉及一种半导体晶片，所述半导体晶片包括：具有前侧表面和平行于所述前侧表面的后侧表面的半导体切片。所述半导体晶片还包括在后侧表面上的由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层和直接在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上的钝化层。

根据一个可选的实施例，所述阻挡层直接在所述半导体切片上。

根据一个可选的实施例，所述钝化层位于所述前侧表面和所述后侧表面上。

根据一个可选的实施例，所述半导体晶片还包括在所述后侧表面与所述阻挡层之间的由多晶硅形成的辅助层。

根据一个可选的实施例，所述钝化层由热半导体氧化物形成。

根据一个可选的实施例，所述钝化层的在所述前侧表面上的一部分由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成。

根据一个可选的实施例，所述半导体切片是圆柱形的，并且外侧向表面包括平坦部和凹口中的至少一个。

根据一个可选的实施例，所述半导体切片的外侧向表面包括四个正交区段。