[发明专利]一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法

权利要求书

1.一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，其特征在于，包括下列步骤：

在OPC程序中对原始设计版图进行基于规则的OPC修正处理；

选出离子注入层光刻胶覆盖区域尺寸小于第一设定尺寸的边，根据该边到离子注入层光刻胶打开区域距离为第二设定尺寸的区域为OPC待优化区域；

当所述OPC待优化区域有多晶硅层，则在离该边一定阈值内的多晶硅层图形上添加辅助图形；

其中，所述离子注入层添加的辅助图形基于多晶硅层图形进行添加，当多晶硅层图形尺寸小于或等于添加的辅助图形的尺寸，以多晶硅层图形为中心添加；当多晶硅层图形尺寸大于添加的辅助图形的尺寸，则以多晶硅层图形靠近离子注入层边的边界添加辅助图形。

2.根据权利要求1所述的提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，其特征在于，所述离子注入层边的选择为光刻胶线宽尺寸的第一设定尺寸W＝500nm。

3.根据权利要求1所述的提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，其特征在于，所述离子注入层OPC待优化区域的第二设定尺寸D为1000nm。

4.根据权利要求1所述的提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，其特征在于，所述离子注入层添加辅助图形的宽度为40-100nm，辅助图形到离子注入层边的距离为50-200nm，辅助图形间隔距离为50-150nm。