[发明专利]一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法

说明书

本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，包括下列步骤：在OPC程序中对原始设计版图进行基于规则的OPC修正处理；选出离子注入层光刻胶覆盖区域尺寸小于第一设定尺寸的边，根据该边到离子注入层光刻胶打开区域距离为第二设定尺寸的区域为OPC待优化区域；当所述OPC待优化区域前层为浅沟槽隔离区域，则该边往离子注入层打开区域移动；当所述OPC待优化区域有多晶硅层，则在离该边一定阈值内的多晶硅层图形上添加辅助图形。本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，以减少前层反射对离子注入层光阻的影响，降低离子注入层光阻受前层反射而收缩甚至剥落的风险。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法。

背景技术

在半导体制造过程中，离子注入是一项非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体掺杂，将特定的杂质原子以离子加速的方式注入硅半导体晶体管内改变其导电特性并最终形成晶体管结构。

离子注入是作为一种半导体材料的掺杂技术发展起来的，由于具有低温掺杂、精确的剂量控制、掩蔽容易、均匀性好等特点，使得经其掺杂所制成的半导体器件和集成电路具有速度快、功耗低、稳定性好、成品率高等特点。尤其在目前的大规模、超大规模集成电路工艺中，由于离子注入层是极薄的，同时，离子束的直进性保证注入的离子几乎是垂直地向内掺杂，横向扩散极其微小，这样就能使电路的线条更加纤细，线条间距进一步缩短，从而大大提高集成度。此外，离子注入技术的高精度和高均匀性，可以大幅度提高集成电路的成品率。随着工艺上和理论上的日益完善，离子注入已经成为半导体器件和集成电路生产的关键工艺之一。

而随着半导体工艺技术的不断发展，离子注入层的特征尺寸越来越小，而由于离子注入层在曝光过程中会受到的反射作用，会导致光阻收缩甚至剥落，从而影响前层离子注入。现有技术在解决这种问题时，可以通过增加底部抗反射涂层(BARC,Bottom Anti-Reflective Coating)来降低前层反射的影响，但会导致成本增加且会大大提高工艺难度；同时由于版图的复杂性，常规的尺寸补偿也无法有效解决前层反射导致的光阻收缩甚至剥落的风险。针对这一问题，为降低浅沟槽隔离区域及多晶硅层对离子注入层光阻的反射影响，本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法。

发明内容

本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，以减少前层反射对离子注入层光阻的影响，降低离子注入层光阻受前层反射而收缩甚至剥落的风险。

为了达到上述目的，本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，包括下列步骤：

在OPC程序中对原始设计版图进行基于规则的OPC修正处理；

选出离子注入层光刻胶覆盖区域尺寸小于第一设定尺寸的边，根据该边到离子注入层光刻胶打开区域距离为第二设定尺寸的区域为OPC待优化区域；

当所述OPC待优化区域前层为浅沟槽隔离区域，则该边往离子注入层打开区域移动；

当所述OPC待优化区域有多晶硅层，则在离该边一定阈值内的多晶硅层图形上添加辅助图形。

进一步的，所述离子注入层边的选择为光刻胶线宽尺寸的第一设定尺寸W＝500nm。

进一步的，所述离子注入层OPC待优化区域的第二设定尺寸D为1000nm。

进一步的，所述离子注入层边在浅沟槽隔离区域的移动距离为0-400nm。

进一步的，所述离子注入层添加辅助图形的宽度为40-100nm，辅助图形到离子注入层边的距离为50-200nm，辅助图形间隔距离为50-150nm。