[发明专利]用于磷化铟晶片的下盘方法

权利要求书

1.一种用于磷化铟晶片的下盘方法，用于取下抛光后固定在陶瓷盘上的磷化铟晶片，其特征在于，包括：

在加热槽中倒入除蜡剂，加热至蜡熔点温度，保持温度恒定；

将抛光后固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘放入上述已经经过加热的除蜡剂中，恒温加热第一设定时间；

将磷化铟晶片从除蜡剂中取出，放置于盛有有机溶剂或除蜡剂的容器，待进一步对晶片进行化学清洗。

2.根据权利要求1所述的下盘方法，其特征在于，还包括：磷化铟晶片取出后，继续恒温加热除蜡剂第二设定时间，以对陶瓷盘进行进一步去蜡清。

3.根据权利要求1所述的下盘方法，其特征在于，所述除蜡剂为水基中性除蜡剂，pH值在7.0～8.5。

4.根据权利要求1所述的下盘方法，其特征在于，所述除蜡剂的用量没过所述固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘。

5.根据权利要求1所述的下盘方法，其特征在于，所述磷化铟晶片的下盘过程在百级以上洁净室内进行。

6.根据权利要求1所述的下盘方法，其特征在于，所述加热槽具有恒温加热功能，恒温加热温度波动≤±3℃。