[发明专利]用于磷化铟晶片的下盘方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工技术领域，更具体地，涉及一种用于磷化铟晶片的下盘方法。

背景技术

磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电子漂移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于制造高频、高速和大功率微波器件和电路。InP作为衬底材料已在多个领域得到广泛应用，如长波长(1.3～1.55μm)发光二极管、激光器和探测器、毫米波异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片电路等。这些器件将是下一代宽带网络、区域电子对抗、预警系统、高性能雷达、卫星系统和精确制导武器等的关键部件。

在InP晶片加工过程中，晶片的精细抛光采用有蜡抛，即将用蜡将晶片粘在陶瓷盘上进行抛光，以保证晶片平整度和良率。用到的蜡分为低温蜡(50℃)或高温蜡(熔点70℃)，在抛光完成后通过加热陶瓷盘到蜡熔化后将晶片取下的过程称之为下盘。抛光完成后晶片为纳米级表面，采用上述“干法”下盘方法，在加热下盘过程中晶片加热，晶片表面极易吸附粒子并且加速晶片表面氧化，对后续清洗质量有很大影响。另外，蜡会在陶瓷盘表面积累，并且很难完全去除，会对陶瓷盘表面均匀性产生影响，进而对晶片平整度产生影响，甚至会出现掉片现象，影响生产安全。因此进行工艺改进，降低下盘过程中产生的不利影响十分必要。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种工艺稳定性重复性好、工作效率高和产品良率高的用于磷化铟晶片的下盘方法。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于磷化铟晶片的下盘方法，用于取下抛光后固定在陶瓷盘上的磷化铟晶片，包括：在加热槽中倒入除蜡剂，加热至蜡熔点温度，保持温度恒定；将抛光后固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘放入上述已经经过加热的除蜡剂中，恒温加热第一设定时间；将磷化铟晶片从除蜡剂中取出，放置于盛有有机溶剂或除蜡剂的容器，待进一步对晶片进行化学清洗。

所述的下盘方法，其中，还包括：磷化铟晶片取出后，继续恒温加热除蜡剂第二设定时间，以对陶瓷盘进行进一步去蜡清。

所述的下盘方法，其中，所述除蜡剂为水基中性除蜡剂，pH值在7.0～8.5。

所述的下盘方法，其中，所述除蜡剂的用量没过所述固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘。

所述的下盘方法，其中，所述磷化铟晶片的下盘过程在百级以上洁净室内进行。

所述的下盘方法，其中，所述加热槽具有恒温加热功能，恒温加热温度波动≤±3℃。

本发明所述用于磷化铟晶片的下盘方法采用将抛光后的晶片和陶瓷盘浸入除蜡剂加热至熔点，使除蜡剂溶解更加充分，下盘同时起到对晶片和陶瓷盘去蜡清洗的作用，简化了后续对晶片和陶瓷盘的去蜡步骤，从而提高了效率。另外将晶片浸在除蜡剂中加热可避免将晶片暴露在空气产生沾污和表面氧化，提高了良品率。

附图说明

通过参考以下具体实施方式结合附图，本发明的其它目的及结果将更加明白且易于理解。在附图中：

图1是本发明所述用于磷化铟晶片的下盘方法示意图。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。

下面将参照附图来对根据本发明的各个实施例进行详细描述。

图1是本发明所述用于磷化铟晶片的下盘方法示意图，如图1所示，所述下盘方法用于取下抛光后固定在陶瓷盘5上的磷化铟晶片4，包括：

在加热槽3中倒入除蜡剂1，加热至用于抛光的蜡的熔点温度，保持温度恒定，例如，将除蜡剂1倒入加热槽3中，加热至60-80℃恒定；

将抛光后固定在一起的磷化铟晶片4和陶瓷盘5放入上述已经经过加热的除蜡剂1中，恒温加热第一设定时间，例如，恒温加热5-10min；

将磷化铟晶片4从除蜡剂1中取出，放置于盛有有机溶剂(例如，无水乙醇)或除蜡剂1的容器，待进一步进行化学清洗，例如，采用真空吸笔将晶片4逐片从除蜡剂1中取出。