[发明专利]一种Cu-MoTi蚀刻液

说明书

发明提供一种Cu‑MoTi蚀刻液，包含：5～30wt％氧化剂、3～15wt％酸和3～15wt％无机盐，余量为去离子水；其中，所述氧化剂选自由过氧化氢和过硫酸组成的群组；所述酸选自由多元羧酸、氨基酸和无机酸组成的群组；以及，所述无机盐选自由磷酸氢二铵和磷酸二氢铵组成的群组。

技术领域

本发明涉及蚀刻液领域，特别涉及一种Cu-MoTi蚀刻液。

背景技术

在TFT-LCD的生产过程中，一般以化学蚀刻防方法形成金属电极。具体来说，首先对金属层表面的光阻进行图案化以定义光阻层，然后通过化学药品腐蚀掉未被所述光阻层保护的区域，再将所述光阻层剥离，完成金属层的图案化制程。常用的金属导线一般由多层合金组成，例如铜/钼(Cu-Ti)，铜/钼-钛合金(Cu-MoTi)，铜/钛(Cu-Ti)结构。

其中，传统用于铜/钼-钛合金的蚀刻液均含有F离子。例如，中国专利“钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物”(公开号：CN103890234A)公开了一种用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物基于整体组合物总重量包含：5％～25％重量百分比的过氧化氢、0.1％～2％重量百分比的腐蚀抑制剂、0.1％～2％重量百分比的全氟化合物、0.1％～2％重量百分比的全氯化合物、0.1％～5％重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100％的水。虽然在该蚀刻液中F离子的含量较低，但是此类蚀刻液对玻璃及氧化物半导体(IGZO)的伤害程度很大，限制了金属层图案化制程中重工制程的次数以及BCE结构中IGZO的开发。

因此，我们需要一种新的Cu-MoTi蚀刻液，以解决目前存在的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Cu-MoTi蚀刻液，所述Cu-MoTi蚀刻液不含有F离子，以避免蚀刻液对玻璃及IGZO的伤害，从而扩大金属层图案化制程的应用范围。

为了达到上述目的，本发明首先提供一种Cu-MoTi蚀刻液，包含：5～30wt％氧化剂、3～15wt％酸和3～15wt％无机盐，余量为去离子水。

在一优选实施例中，所述Cu-MoTi蚀刻液包含8～12wt％氧化剂。

在一优选实施例中，所述Cu-MoTi蚀刻液包含5～10wt％酸。

在一优选实施例中，所述Cu-MoTi蚀刻液包含5～10wt％无机盐。

在本发明一实施例中，所述氧化剂含过氧基团的化合物。优选地，所述含过氧基团的化合物为过氧化氢及其衍生物，例如但不限于过氧化氢和过硫酸。

在本发明一实施例中，所述酸选自由多元羧酸、氨基酸和无机酸组成的群组。优选地，所述酸为多元羧酸。

在本发明一实施例中，所述无机盐选自选自磷酸铵盐。优选地，所述选自磷酸铵盐包括磷酸氢二铵、磷酸二氢铵和磷酸铵。并且，更为优选地，所述磷酸铵盐为磷酸磷酸氢二铵或磷酸二氢铵。

在本发明一优选实施例中，所述多元羧酸包括但不限于苹果酸和柠檬酸，所述氨基酸包括但不限于甘氨酸和丙氨酸，所述无机酸包括但不限于磷酸和硫酸。

在本发明一较佳实施例中，所述Cu-MoTi蚀刻液所包含的所述氧化剂优选为过氧化氢。

在本发明一较佳实施例中，所述Cu-MoTi蚀刻液所包含的所述酸优选为柠檬酸。

在本发明一较佳实施例中，提供一种Cu-MoTi蚀刻液，包含：5～30wt％氧化剂、3～15wt％多元羧酸和3～15wt％无机盐，余量为去离子水；其中所述氧化剂为过氧化氢；所述多元羧酸为柠檬酸；所述无机盐为磷酸氢二铵或磷酸二氢铵。