[发明专利]一种测试模式复用器以及存储芯片在审
申请号: | 201711108202.8 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107705820A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 赖荣钦 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人: | 张臻贤,武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 模式 复用器 以及 存储 芯片 | ||
1.一种测试模式复用器,用于存储芯片,其特征在于,包括:
测试模式开关,具有测试信号输入端、测试信号控制端和测试信号输出端,所述测试信号输入端用于接收测试信号,所述测试信号输出端连接存储芯片的内部电路,所述测试信号控制端用于接收控制所述测试模式开关通断的第一控制信号;及
正常工作开关,具有正常工作输入端、正常工作控制端和正常工作输出端,所述正常工作输入端用于接收正常运行信号,所述正常工作输出端连接所述存储芯片的所述内部电路,所述正常工作控制端用于接收控制所述正常工作开关通断的第二控制信号。
2.如权利要求1所述的测试模式复用器,其特征在于,所述测试模式开关包括第一PMOS管和第一NMOS管,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的其中一栅极用于接收控制所述测试模式开关通断的所述第一控制信号,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的其中一源极用于接收测试信号,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的其中一漏极与所述内部电路连接。
3.如权利要求2所述的测试模式复用器,其特征在于,所述正常运行开关包括第二PMOS管和第二NMOS管,所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的其中一栅极用于接收控制所述正常工作开关通断的第二控制信号,所述第二PMOS管和所述第一NMOS管的其中一源极用于接收所述正常运行信号,所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的其中一漏极与所述内部电路连接。
4.如权利要求1所述的测试模式复用器,其特征在于,还包括:
控制器,所述控制器的第一输出端连接至所述测试模式开关中的所述测试信号控制端,所述控制器的第二输出端连接至所述正常工作开关中的所述正常工作控制端,所述控制器的第一输入端用于接收切换命令,所述控制器用于根据所述切换命令发送所述第一控制信号至所述测试信号控制端以及发送所述第二控制信号至所述正常工作控制端,所述第一控制信号和所述第二控制信号的两者信号为相反。
5.如权利要求4所述的测试模式复用器,其特征在于,所述控制器的第二输入端连接至所述内部电路,所述控制器的第二输入端用于接收所述内部电路反馈的测试结束命令和正常运行结束命令的其中之一,根据所述测试结束命令发送所述第二控制信号至所述正常工作控制端,根据所述正常运行结束命令发送所述第一控制信号至所述测试信号控制端。
6.如权利要求1至5中任一项所述的测试模式复用器,其特征在于,所述内部电路中包括MOS管,所述MOS管的栅极连接至所述测试模式开关的所述测试信号输出端和所述正常工作开关的所述正常工作输出端。
7.如权利要求1至5中任一项所述的测试模式复用器,其特征在于,所述内部电路中包括电源,连接至所述测试模式开关的所述测试信号输出端和所述正常工作开关的所述正常工作输出端。
8.一种存储芯片,其特征在于,包括权利要求1所述的测试模式复用器。
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