[发明专利]一种抗PV变化的环路运放电路在审
| 申请号： | 201711114028.8 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107834981A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;王鹏;孙杰;李红;包天罡;王甫锋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 葛潇敏 |
| 地址： | 210032 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pv 变化 环路 电路 | ||
1.一种抗PV变化的环路运放电路，包括三级级联反向器；其特征在于：还包括连接在三级级联反向器的第二级反向器和第三级反向器之间的偏置电路。
2.如权利要求1所述的一种抗PV变化的环路运放电路，其特征在于：所述三级级联反向器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极连接，作为电路的第一级反向器，第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接，并共同作为电路的输入端；第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，作为电路的第二级反向器，第二NMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接后，共同连接到第一NMOS管的漏极；第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，作为电路的第三级反向器；所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极均连接VSS，第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极均连接VDD。
3.如权利要求2所述的一种抗PV变化的环路运放电路，其特征在于：所述偏置电路包括第一电容和第二电容，第一电容的两端分别连接第二PMOS管的漏极和第三PMOS管的栅极，第二电容的两端分别连接第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的栅极。
4.如权利要求2或3所述的一种抗PV变化的环路运放电路，其特征在于：所述偏置电路包括第四PMOS管，第四PMOS管的漏极连接第三PMOS管的栅极，第四PMOS管的源极连接第一偏置电压，第四PMOS管的栅极接时钟信号。
5.如权利要求2或3所述的一种抗PV变化的环路运放电路，其特征在于：所述偏置电路包括第四NMOS管，第四NMOS管N的漏极连接第三NMOS管的栅极，第四NMOS管的源极连接第二偏置电压，第四NMOS管的栅极接时钟信号。
6.如权利要求2或3所述的一种抗PV变化的环路运放电路，其特征在于：所述运放电路闭环工作时，第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接第三电容的一端，第三电容的另一端作为电路的输入端；第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极还连接第四电容的一端，第四电容的另一端连接第三PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极还经第五电容连接VSS。
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