[发明专利]存储器模块、包括其的存储系统及其错误校正方法有效
申请号: | 201711114093.0 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN108376554B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 朴钟现;李圣恩;具滋现;郑承奎 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/44 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李琳;王建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 模块 包括 存储系统 及其 错误 校正 方法 | ||
1.一种存储系统的错误校正方法,包括:
从多个存储器芯片中读取读取数据和错误校正码;
使用错误校正码来校正读取数据的错误;
如果所述错误的校正失败,则将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中;
将特定输入测试模式写入所述多个存储器芯片中,读取写入所述多个存储器芯片中的输出测试模式,并且基于所述输入测试模式与所述输出测试模式之间的比较结果来检测发生芯片修复的故障芯片;
基于检测到的故障芯片的位置而使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误;并且
将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入所述多个存储器芯片中。
2.根据权利要求1所述的错误校正方法,其中,重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误的步骤包括:
通过使用储存在缓冲器中的错误校正码来计算来自储存在缓冲器中的读取数据的校正子而产生校正子标志;
基于检测到的故障芯片的位置来产生用于确定擦除符号的位置的擦除位置多项式;
通过将校正子标志乘以擦除位置多项式来输出修改的校正子;
使用修改的校正子来计算错误位置多项式的系数和错误评价多项式的系数;
从错误位置多项式和错误评价多项式来计算错误的位置,以及计算在所计算出的错误位置处的错误的权重;以及
基于错误的位置和错误的权重来校正储存在缓冲器中的读取数据的错误。
3.根据权利要求1所述的错误校正方法,其中,错误校正码为里德-索洛蒙错误校正码。
4.根据权利要求1所述的错误校正方法,其中,所述存储系统校正所述错误,所述错误包括在所述多个存储器芯片中发生的N比特位随机错误和一个芯片修复错误,其中,N是1或更大的整数。
5.根据权利要求1所述的错误校正方法,其中,错误校正码的比特位的数量通过[2*(位置未知的错误的可校正符号的数量)+(位置已知的错误的可校正符号的数量)]来确定,其中,每个可校正符号由M比特位形成,M为2或更大的整数。
6.根据权利要求1所述的错误校正方法,其中,当错误的校正成功时,确定不存在故障芯片,并且错误的校正被终止。
7.根据权利要求1所述的错误校正方法,其中,特定输入测试模式包括全0模式或全1模式。
8.一种存储系统,包括:
多个存储器芯片,它们适用于储存数据和错误校正码;
错误校正电路,其适用于使用从所述多个存储器芯片读取的错误校正码来校正从所述多个存储器芯片读取的数据的错误,并且如果错误的校正失败,则将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中;以及
故障芯片检测电路,其适用于:如果所述错误的校正失败,则将特定输入测试模式写入所述多个存储器芯片中,读取写入所述多个存储器芯片中的输出测试模式,并且基于所述输入测试模式与所述输出测试模式之间的比较结果来检测发生芯片修复的故障芯片,
其中,错误校正电路基于检测到的故障芯片的位置而使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误,并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入所述多个存储器芯片中。
9.根据权利要求8所述的存储系统,其中,错误校正电路包括:
校正子发生器,其适用于通过使用错误校正码计算来自读取数据的校正子而产生校正子标志;
擦除位置计算器,其适用于基于检测到的故障芯片的位置来产生用于确定擦除符号的位置的擦除位置多项式;
乘法器,其适用于通过将校正子标志乘以擦除位置多项式来输出修改的校正子;
伯利坎普-梅西算法处理器,其适用于使用修改的校正子来计算错误位置多项式的系数和错误评价多项式的系数;
钱氏搜索/福尼算法处理器,其适用于从错误位置多项式和错误评价多项式来计算错误的位置,并且计算在所计算出的错误位置处的错误的权重;以及
错误校正单元,其适用于基于错误的位置和错误的权重来校正读取数据的错误。
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