[发明专利]存储器模块、包括其的存储系统及其错误校正方法

说明书

一种存储系统的错误校正方法可以包括：从多个存储器芯片中读取读取数据和错误校正码；使用错误校正码来校正读取数据的错误；当错误的校正失败时，将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中；将特定输入测试模式写入多个存储器芯片中，读取写入多个存储器芯片中的输出测试模式，并且检测发生芯片修复的故障芯片；基于检测到的故障芯片的位置，使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误；并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入多个存储器芯片中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年1月31日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0013769的韩国专利申请的优先权，其公开通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，更具体地，涉及一种存储器模块、包括其的存储系统及其错误校正方法。

背景技术

在半导体存储器行业的早期，在已经通过半导体制造工艺的存储器芯片中存在无缺陷存储单元的大量原始好裸片已经被分布在每个晶片上。然而，随着存储器件的容量逐渐增加，制造具有无缺陷存储单元的存储器件已经变得越来越困难。目前，制造这种存储器件的成功概率非常小。

为了克服有缺陷单元问题，已经使用了用冗余存储单元来修复存储器件的有缺陷存储单元的技术。另一方面，用于校正存储系统中的错误的错误校正(ECC)电路已经被用于校正在存储单元中发生的错误，或者在存储系统的读取操作或写入操作中的数据传输期间发生的错误。

发明内容

本发明的各种实施例涉及一种存储器模块、包括存储器模块的存储系统及其能够提高错误校正效率的操作方法。

在一个实施例中，存储系统的错误校正方法可以包括：从多个存储器芯片中读取读取数据和错误校正码；使用错误校正码来校正读取数据的错误；当错误的校正失败时，将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中；将特定输入测试模式写入多个存储器芯片中，读取写入多个存储器芯片中的输出测试模式，并且检测发生芯片修复(chipkill)的故障芯片；基于检测到的故障芯片的位置而使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误；并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入多个存储器芯片中。

在一个实施例中，存储系统可以包括：多个存储器芯片，它们适用于储存数据和错误校正码；错误校正电路，其适用于使用从多个存储器芯片读取的错误校正码来校正从多个存储器芯片读取的数据的错误，并且当错误的校正失败时，将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中；以及故障芯片检测电路，其适用于：当错误的校正失败时，将特定输入测试模式写入多个存储器芯片中，读取写入多个存储器芯片中的输出测试模式，并且检测发生芯片修复的故障芯片，其中，错误校正电路基于检测到的故障芯片的位置而使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误，并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入多个存储器芯片中。

在一个实施例中，存储器模块可以包括：多个存储器芯片，它们适用于储存数据和错误校正码；错误校正电路，其适用于使用从多个存储器芯片读取的错误校正码来校正从多个存储器芯片读取的数据的错误，并且当错误的校正失败时，将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中；以及故障芯片检测电路，其适用于：当错误的校正失败时，将特定输入测试模式写入多个存储器芯片中，读取写入多个存储器芯片中的输出测试模式，并且检测发生芯片修复的故障芯片，其中，错误校正电路基于检测到的故障芯片的位置而使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误，并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入多个存储器芯片中。

附图说明

图1是示出了存储系统的框图。

图2是示出了根据本公开的实施例的存储系统的框图。

图3是示出了图2所示的错误校正电路的框图。