[发明专利]片材、带材和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711114552.5 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108084912A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 志贺豪士;木村龙一;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;C09J7/24;C09J151/00;C09J11/06;C08F265/06;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片材 粘合剂层 半导体装置 基材层 切割膜 带材 制造 分割 | ||
1.一种片材，其包含：
包含基材层和位于所述基材层上的粘合剂层的切割膜、和
位于所述粘合剂层上的膜，其中，
所述粘合剂层的厚度为2μm～10μm，
所述膜的厚度为5μm～20μm，并且
所述片材为用于在半导体装置的制造方法中使用的片材，
所述半导体装置的制造方法包含：
在所述片材的所述膜上固定具有改性区域的半导体晶片的工序；和
通过扩张所述切割膜而以所述改性区域为起点将所述半导体晶片分割的工序。
2.如权利要求1所述的片材，其中，0℃下的所述膜的断裂伸长率为20％以下。
3.如权利要求1所述的片材，其中，所述切割膜的-15℃断裂伸长率相对于25℃断裂伸长率之比为大于等于0.3且小于1。
4.如权利要求1所述的片材，其中，所述基材层的两面由第一主面和第二主面定义，
粘合剂层位于所述第一主面上，
所述第一主面的表面粗糙度大于所述第二主面的表面粗糙度，并且
所述第二主面的表面粗糙度为200nm以下。
5.如权利要求1所述的片材，其中，所述膜为半导体背面保护膜。
6.如权利要求1所述的片材，其中，所述基材层包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层。
7.一种带材，其中，所述带材包含：
剥离衬垫、和
位于所述剥离衬垫上的权利要求1～6中任一项所述的片材。
8.一种半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法包含：
在权利要求1～7的任一项中所述的片材的所述膜上固定具有所述改性区域的所述半导体晶片的工序；和
通过扩张所述切割膜而以所述改性区域为起点将所述半导体晶片分割的工序。
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