[发明专利]片材、带材和半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供一种扩张时的分割精度优异的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的膜。在本公开的片材中，粘合剂层的厚度为2μm～10μm，膜的厚度为5μm～20μm。

技术领域

本公开涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，倒装芯片安装的半导体装置被广泛利用。倒装芯片安装的半导体装置是半导体芯片以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的方式固定于基板的半导体装置。在这样的半导体装置中，有时用背面保护膜对半导体芯片的背面进行保护。

半导体芯片的形成方法一般为刀片切割，但是，在刀片切割中，有时在半导体芯片侧面发生被称为崩角(チッピング)的破裂。该破裂因安装工序、可靠性试验等中的加热而扩大，成为不合格率增加的原因。

崩角可以通过隐形切割(ステルスダイシング)(注册商标)来降低。隐形切割为如下方法：利用激光在半导体晶片上形成改性层，将半导体晶片贴合于切割膜，并通过切割膜的扩张将半导体晶片分割成芯片尺寸。

隐形切割中，在使用背面保护膜的情况下，有时经过如下步骤(以下，称为“以前的步骤”)：将背面保护膜贴合于半导体晶片，对背面保护膜进行热固化，利用激光在半导体晶片上形成改性层，将带背面保护膜的半导体晶片贴合于切割膜，并通过扩张而形成带分割后背面保护膜的芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-115943号公报

专利文献2：日本特开2015-99825号公报

专利文献3：日本特开2014-185285号公报

专利文献4：日本特开2010-199541号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，有时无法通过扩张而沿着芯片轮廓分割背面保护膜。芯片尺寸越减小，分割的精度越降低。随着芯片的小型化发展，应该提高背面保护膜的分割精度。

本公开的目的在于提供一种扩张时的分割精度优异的片材。本公开的目的还在于提供带材和半导体装置的制造方法。

用于解决问题的手段

本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的膜。在本公开的片材中，粘合剂层的厚度为2μm～10μm，膜的厚度为5μm～20μm。本公开的片材可以为用于在半导体装置的制造方法中使用的片材。半导体装置的制造方法包含：在本公开的片材的膜上固定具有改性区域的半导体晶片的工序；和通过扩张切割膜而以改性区域为起点将半导体晶片分割的工序。

在本公开中，由于粘合剂层的厚度上限为10μm、并且膜厚度的上限为20μm，因此可以沿着芯片的轮廓将膜分割。因而，不仅可以用于分割以往尺寸的芯片(例如4mm见方的芯片)，也可以用于小型芯片(例如1mm见方的芯片)。此外，由于粘合剂层的厚度下限为2μm，因此可以防止基材层压花凸部从粘合剂层突出，并且可以抑制由基材层压花凸部的突出导致的、粘合剂层与膜的界面胶粘力的降低。此外，由于膜的厚度下限为5μm，因此在将膜用于半导体背面保护用途的情况下可以防止印刷激光将膜贯穿。此外，由于将膜与切割膜一体化，因此，与以前的步骤相比，可以减少工时。

在本公开的片材中，优选0℃下的膜的断裂伸长率为20％以下。

对于本公开的片材而言，优选切割膜的-15℃断裂伸长率相对于25℃断裂伸长率之比为大于等于0.3且小于1。