[发明专利]一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法在审

专利信息
申请号: 201711115897.2 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107720759A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;董海涛;蔡延国;王体虎 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;C01B3/50;C01B7/07
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 王献茹
地址: 810007 青海*** 国省代码: 青海;63
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摘要:
搜索关键词: 一种 光纤 氯化 制备 方法 多晶 生产 还原 尾气 处理
【权利要求书】:

1.一种光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述光纤级四氯化硅的制备方法使用多晶硅生产中的还原尾气作为原料,其制备方法包括:

第一次分离:从所述还原尾气中分离出氯硅烷混合液;

第二次分离:从所述氯硅烷混合液中分离出初级四氯化硅;以及

提纯步骤:包括通过精馏去除所述初级四氯化硅中的微硅粉、氢气,所述提纯步骤还包括通过光氯化反应去除所述初级四氯化硅中的氯硅烷杂质。

2.根据权利要求1所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述提纯步骤包括将初级四氯化硅通入第一精馏塔内除去所述微硅粉杂质,得到二级四氯化硅。

3.根据权利要求2所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述提纯步骤包括将经所述第一精馏塔除杂后的二级四氯化硅通入光氯化反应塔,以去除所述二级四氯化硅中的氯硅烷杂质,得到三级四氯化硅。

4.根据权利要求3所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述提纯步骤包括将所述三级四氯化硅通入吸附柱进行物理吸附和化学反应,以除去所述三级四氯化硅中的金属及硼磷氯化物,得到四级四氯化硅。

5.根据权利要求4所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述提纯步骤包括将所述四级四氯化硅通入第二精馏塔脱轻,再将脱轻后的所述四级四氯化硅通入到第三精馏塔去除残留杂质。

6.根据权利要求1所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述第一次分离步骤采用尾气干法回收的方法,分离出所述还原尾气中的氯化氢和氢气,得到所述氯硅烷混合液。

7.根据权利要求6所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述第一次分离步骤包括对所述还原尾气进行低温喷淋和冷凝,以分离出氯硅烷混合液。

8.根据权利要求1所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述第二次分离步骤通过使用精馏塔从所述氯硅烷混合液中分离出所述初级四氯化硅。

9.根据权利要求8所述的光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述第二次分离步骤的所述氯硅烷混合液依次经过至少两个精馏塔进行分离。

10.一种多晶硅生产中还原尾气的处理方法,其特征在于,其包括使用权利要求1至9中任一项所述的光纤级四氯化硅的制备方法对多晶硅生产中还原尾气进行处理;

其中,所述第一次分离中将所述还原尾气分离为所述氯硅烷混合液、氢气以及氯化氢,将所述氢气和氯化氢分别作为所述多晶硅生产中的供料贮存;所述第二次分离中将所述氯硅烷混合液分离为所述初级四氯化硅、二氯二氢硅以及三氯氢硅,将所述二氯二氢硅和所述三氯氢硅分别作为所述多晶硅生产中的相应供料贮存。

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