[发明专利]一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法

权利要求书

1.一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置包括：

掩膜版承载台，所述掩膜版承载台设置于光刻机内，所述掩膜版承载台上置有掩膜版；

气帘产生装置，所述气帘产生装置沿左右方向设置，并且所述气帘产生装置位于所述掩膜版承载台的上方；所述气帘产生装置用于产生气帘；

气束产生装置，所述气束产生装置设置于左右方向的一侧，并且所述气束产生装置位于所述掩膜版承载台的上方；所述气束产生装置用于产生气束；

颗粒检测装置，所述颗粒检测装置设置于所述掩膜版承载台的上方，用于对所述掩膜版的上表面进行颗粒检测；

所述方法包括以下步骤：

步骤一、所述掩膜版传输中至所述掩膜版承载台上；

步骤二、所述颗粒检测装置对所述掩膜版进行颗粒检测，判断所述掩膜版的颗粒值是否符合规定；若颗粒检测装置检测不合格，则执行步骤三；否则，执行步骤四；

步骤三、所述气束产生装置产生倾斜的气束，并且调节所述气束的倾斜角；倾斜气束将所述掩膜版图形层上的颗粒去除，同时，旋转和倾斜所述掩膜版；再次返回步骤二进行判断；

步骤四、开启所述气帘产生装置，产生所述气帘；

步骤五、开始进行曝光过程，使曝光光线到达所述掩膜版图形层上；

步骤六、曝光过程结束后，将所述掩膜版装入专用的掩膜版盒中存放，随后关闭气帘产生装置，停止所述气帘产生。

2.根据权利要求1所述一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述掩膜版上表面还设有掩膜版图形层。

3.根据权利要求2所述一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述气帘平行于所述掩膜版承载台的水平面，所述气帘阻挡曝光过程中所述掩膜版之外的颗粒侵入到所述掩膜版图形层。

4.根据权利要求3的一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述气束为倾斜气束，所述气束的倾斜角为所述气束的气流方向与所述掩膜版承载台的水平面的夹角，所述倾斜角的调节范围为10-60°；所述气束用于将已经落入到所述掩膜版上的颗粒去除。

5.根据权利要求3的一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述气帘的保护气体由氢气、氦气或两者混合产生，所述气帘距所述掩膜版承载台的高度的调节范围为2-10厘米。

6.根据权利要求1的一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述气帘和所述气束可同时开启，也可以单独开启。

7.根据权利要求1所述的一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述步骤五的所述曝光过程中，所述掩膜版一直置于所述的气帘的下方。

8.根据权利要求1所述的一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的方法，其特征在于，所述掩膜版能够在所述掩膜版承载台上进行上下、左右、前后移动、旋转以及倾斜动作。