[发明专利]一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法

说明书

本发明公开一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法，包括掩膜版承载台，所述掩膜版承载台设置于光刻机内，所述掩膜版承载台上置有掩膜版；气帘产生装置沿左右方向设置，并且气帘产生装置位于掩膜版承载台的上方；气帘产生装置用于产生气帘；气束产生装置设置于左右方向的一侧，并且气束产生装置位于掩膜版承载台的上方；气束产生装置用于产生气束；颗粒检测装置设置于掩膜版承载台的上方，用于对掩膜版的上表面进行颗粒检测。本发明通过使用倾斜气束将已经落入到掩膜版上的颗粒去除，节约了时间，又提高了颗粒去除的效率。

技术领域

本发明涉及掩膜板的技术领域，尤其涉及一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置的技术领域。

背景技术

随着集成电路技术的发展，做为集成电路关键技术之一的光刻技术，也经历了G-Line，I-line，DUV(深紫外)以及EUV(Extreme Ultraviolet：极紫外)的发展路线，在这个发展过程中，无一例外的都是通过降低曝光时的波长来提高光刻的图形分辨率，从而获得更小的图形。EUV光刻使用的是波长为13.5纳米的极紫外光线，这么小的波长能获得极高的图形分辨率，EUV光刻技术已经或即将应用于10纳米及以下工艺节点的半导体产品中。

掩膜版是光刻工艺中不可或缺的重要载体，它上面载有芯片设计者设计的图形，这些图形是通过光刻/刻蚀工艺转移到硅片上的，所以掩膜版上的颗粒污染情况将直接影响到硅片上图形的质量，进而影响最终器件的性能，在图形尺寸不断缩小的情况下，控制和减少掩膜版上的颗粒污染就变得尤为重要。减少掩膜版上的颗粒污染主要分两种情况；一是去除经过多次曝光和传送之后已经落在掩膜版的颗粒，二是减少在曝光和传送过程中，颗粒落入掩膜版上的几率，针对第一种情况，目前业界普遍使用的方法是用氮气枪在光刻机外用人工的方法将已经落在掩膜版的颗粒“吹掉”，这种方法的缺点在于：当在光刻机外将颗粒污染去除以后，掩膜版需要再被搬入光刻机，并还要经过一系列的传送才能进行曝光，在这些传送过程中，会产生新的颗粒污染，也即在曝光时，掩膜版上还是会有颗粒污染；针对第二种情况，目前业绩普遍采用的是如图1所示的方法，即在掩膜版图形200的上方制作一保护膜300，在掩膜版的曝光和传送过程中，该保护膜能防止颗粒落入掩膜版上，目前制作掩膜版保护膜300的材料主要是硝化纤维树脂(用于G-Line/I-Line掩膜版)或含氟树脂(用于DUV掩膜版)，这些材料在G-Line/I-Line或DUV波长的透光率较好，因此不会影响曝光光线到达掩膜版的图形200上，但遗憾的是，这些保护膜材料对于EUV波长的光线透光性却很差，因此在EUV曝光时大部分曝光光强都会被保护膜300所吸收而很难到达EUV掩膜版上，虽然目前有很多研究单位在研究新材料来制作EUV掩膜版的保护膜，但到目前为止还没有研究出可以商业化的保护膜材料。

发明内容

针对上述问题，现提供一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法，该装置能在掩膜版承载台上方产生平行的气帘和倾斜的气束，平行的气帘用于防止在曝光过程中颗粒落入掩膜版上，而倾斜的气束用于去除已经落入掩膜版上的颗粒。

为了实现上述目的，采取的技术方案如下：

一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置，其中，包括：

掩膜版承载台，所述掩膜版承载台设置于光刻机内，所述掩膜版承载台上置有掩膜版；

气帘产生装置，所述气帘产生装置沿左右方向设置，并且所述气帘产生装置位于所述掩膜版承载台的上方；所述气帘产生装置用于产生气帘；

气束产生装置，所述气束产生装置设置于左右方向的一侧，并且所述气束产生装置位于所述掩膜版承载台的上方；所述气束产生装置用于产生气束；

颗粒检测装置，所述颗粒检测装置设置于所述掩膜版承载台的上方，用于对所述掩膜版的上表面进行颗粒检测。

上述一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置，其中，所述掩膜版上表面还设有掩膜版图形层；所述掩膜版承载台上设有所述掩膜版。