[发明专利]非对称鳍内存晶体管及其形成方法、半导体器件

权利要求书

1.一种非对称鳍内存晶体管，其特征在于，包括：

一衬底，具有多个有源区，形成于所述衬底中；

隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区，多个所述有源区排布成多排；以及，

多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流，每条所述字线穿过多排有源区、相邻排所述有源区之间的所述隔离结构以及在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述隔离结构；

其中，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b，且|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者，当a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm，当a<b，则0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。

2.如权利要求1所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，每一排中所有的所述有源区的排布方向与所述有源区的长度方向呈锐角，相邻排的有源区平行排列。

3.如权利要求1所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，所述隔离结构包括位于所述有源区的侧壁上的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的厚度为1～200nm。

4.如权利要求3所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，所述隔离结构还包括位于所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层，所述第一隔离材料层和所述第二隔离材料层具有不同刻蚀选择比，所述第一隔离材料层同时形成于在相邻排所述有源区之间的所述字线的底部和在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部，所述第二隔离材料层仅形成在相邻排所述有源区之间的所述字线的底部。

5.如权利要求1至4中任一项所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，相邻所述有源区之间在所述字线延伸方向形成有第一间距和第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述隔离结构的顶部在所述第一间距的区段高度较高于在所述第二间距的区段高度，使得所述字线的底部在所述有源区对应所述第一间距的侧边长度小于对应所述第二间距的侧边长度。

6.如权利要求1至4中任一项所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，相邻所述有源区之间在所述字线延伸方向形成有第一间距和第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述隔离结构的顶部在所述第一间距的区段高度较低于在所述第二间距的区段高度，使得所述字线的底部在所述有源区对应所述第一间距的侧边长度大于对应所述第二间距的侧边长度。

7.一种非对称鳍内存晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成隔离结构在所述衬底中，所述隔离结构围绕出多个有源区，多个所述有源区排布成多排；以及，

形成多条字线在所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流，每条所述字线穿过多排有源区、相邻排所述有源区之间的所述隔离结构以及在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述隔离结构；

其中，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b，且|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者，当a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm，当a<b，则0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。