[发明专利]非对称鳍内存晶体管及其形成方法、半导体器件

说明书

本发明提供了一种非对称鳍内存晶体管及其形成方法、半导体器件。在本发明提供的非对称鳍内存晶体管及其形成方法中，字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同。因此本发明中可以降低制程难度，此外，利用长度不同的字线诱发单边电场，相比长度相同的字线诱发的双边电场强度低，可有效改善漏电流。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种非对称鳍内存晶体管及其形成方法、半导体器件。

背景技术

集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件。传统的集成电路的性能和复杂性已经远远超过了最初的想象。为了实现在复杂性和电路密度(在一定芯片面积上所能容纳的器件的数量)方面的提高，器件的特征尺寸，也称为“几何尺寸(geometry)”，随着每一代的集成电路已经越变越小。提高集成电路密度不仅可以提高集成电路的复杂性和性能，而且对于消费者来说也能降低消费。使器件更小是有挑战性的，因为在集成电路制造的每一道工艺都有极限，也就是说，一定的工艺如果要在小于特征尺寸的条件下进行，需要更换该工艺或者器件布置；另外，由于越来越快的器件设计需求，传统的工艺和材料存在工艺限制。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器是最为常见的系统内存；该DRAM存储器为一种半导体器件，其性能已经取得很大的发展，但仍有进一步发展的需求。在现有技术中，鳍式DRAM为一种常见的结构，但是，能否控制鳍两侧有源区的高度达到所需标准，直接制约着DRAM的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非对称鳍内存晶体管及其形成方法，提高其的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种非对称鳍内存晶体管，包括：

一衬底；具有多个有源区，形成于所述衬底中；

隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区；以及，

多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，多个所述有源区排布成多排，每一排中所有的所述有源区的排布方向与所述有源区的长度方向呈锐角，相邻排的有源区平行排列。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，每条所述字线穿过多排有源区，且在每排中穿过相邻的两个所述有源区。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，若a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，若a<b，则0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，所述隔离结构包括位于所述有源区的侧壁上的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的厚度为1～200nm。

可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，所述隔离结构还包括位于所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层。