[发明专利]一种双面覆铜陶瓷基板单面铜箔上开孔的方法有效

专利信息
申请号: 201711116101.5 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN108161253B 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 戴洪兴;贺贤汉;陈红梅;祝林;张保国 申请(专利权)人: 上海申和热磁电子有限公司
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06
代理公司: 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人: 顾雯
地址: 200444 上海市宝*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 单面铜箔 圆环内圈 双面覆铜 陶瓷基板 上开孔 铜箔 圆环 圆孔 陶瓷 腐蚀 蚀刻 产品良率 生产效率 铜箔蚀刻 内表面 蚀刻液 陶瓷孔 触碰 掉下 菲林 内圈 断开 图纸
【权利要求书】:

1.一种双面覆铜陶瓷基板单面铜箔上开孔的方法,其特征在于:具体步骤如下:

步骤一、按产品尺寸要求,在陶瓷板上激光开孔,开设的陶瓷板圆孔直径为d;

步骤二、在步骤一所述的陶瓷板正反面覆上铜箔;

步骤三、设计单面铜箔上开圆孔的菲林尺寸,将开孔设计成圆环,圆环中心位置与陶瓷板圆孔中心位置相同;圆环内圈直径D随铜箔厚度不同而变化:

D(mm)= d+2*铜箔侧腐蚀修正量

步骤四、腐蚀时确保圆环处铜箔蚀刻干净,同时圆环内圈底部与陶瓷不蚀刻仍相连;

步骤五、腐蚀结束后触碰圆环内圈表面,内圈即会与陶瓷断开并掉下完成单面铜箔上开孔。

2.根据权利要求1所述的一种双面覆铜陶瓷基板单面铜箔上开孔的方法,其特征在于:步骤五中,腐蚀结束后用手触碰圆环内圈表面,内圈即会与陶瓷断开并掉下。

3.根据权利要求1所述的一种双面覆铜陶瓷基板单面铜箔上开孔的方法,其特征在于:步骤三中,铜箔侧腐蚀修正量具体如下:

铜箔厚度mm 侧腐蚀修正量mm

0.10 0.02~0.08

0.20 0.04~0.12

0.25 0.07~0.16

0.30 0.10~0.23

0.40 0.16~0.28

0.50 0.23~0.35。

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