[发明专利]一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法在审
申请号: | 201711117059.9 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107887372A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 刘功伟 | 申请(专利权)人: | 北海威德电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 靳浩 |
地址: | 536000 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 大型 显示器 联合 led 制备 方法 | ||
1.一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,包括:
将制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定于第二基板;
其中第一基板垒晶层制备包括:经切割后形成于第一基板上的P-N外延层;在P-N外延层上制备多层独立的铟锡金属氧化物层;在P-N外延层上的多层独立的铟锡金属氧化物层上横向排列一层图形化蚀刻掩膜;在多层独立的铟锡金属氧化物层上通过蚀刻P-N外延层形成多个P-N外延结构,多个P-N外延结构之间暴露的侧边覆盖上绝缘层。
2.根据权利要求1所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,所述第二基板的第一表面为粗糙且带有凹凸回沟表面,与制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定的第二基板的第二表面为图形化表面,所述第二基板选自铜箔在高温下直接键合到Al2O3或AlN陶瓷基片表面的复合基板。
3.根据权利要求1所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,所述固定第一基板与第二基板的粘合层材料包括:10:1质量比的甲基乙烯基聚硅氧烷混合物与甲基氢基聚硅氧烷混合物、1:1质量比的氧化铝与氢氧化铝。
4.根据权利要求1所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,通过粘合层固定于第二基板的制备有垒晶层的第一基板有三种,包括三种原色。
5.根据权利要求4所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,通过粘合层固定于第二基板的每个制备有垒晶层的第一基板上都是一组单一颜色的P-N外延结构,颜色选自:红色、绿色和蓝色。
6.根据权利要求5所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,通过粘合层固定于第二基板的每个制备有垒晶层的第一基板上单一颜色的P-N外延结构相互之间成一列摆布,第一基板上的红色、绿色和蓝色,三色P-N外延结构成规则交叉固定设置于第二基板上。
7.根据权利要求1所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,所述形成于P-N外延层上多层独立的铟锡金属氧化物层,其中多层为3-5层,铟锡金属氧化物为氧化铟锡层。
8.根据权利要求7所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,形成于P-N外延层上3-5层独立的氧化铟锡层,其中各层氧化铟锡层中的In2o3与SnO2的质量比为15:1-5:1之间。
9.根据权利要求8所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,形成于P-N外延层上3-5层独立的氧化铟锡层,其中各层氧化铟锡层中的In2o3与SnO2的质量比均不相同,从下之上,第一层氧化铟锡层至最上一层氧化铟锡层中的In2o3的含量降低,SnO2的含量升高。
10.根据权利要求9所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法,其特征在于,形成于P-N外延层上3-5层独立的氧化铟锡层,其总厚度≤250nm。
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