[发明专利]一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种联合型LED制备技术。更具体地说，本发明涉及用于大型显示器的联合型LED的制备方法。

背景技术

电子显示器一般情况下由设置于基板上的LED作为光发射源构成，除了等离子电视，其他显示器一般由下列几种光发射源构成：带彩色滤光器液晶光源、有机彩色光光源、带彩色滤光器的有机白色光光源等，上述光源的电子显示器均采用区域光源发射技术，

LED是通过在高密质、高熔点的衬底上进行高温垒晶而成(把所需的元素、分子利用MOCVD物理气象沉积法沉积于衬底上制备而成)完成垒晶后的外延片经芯片制程工艺，切割成无数个LED芯片，经封装技术，再进入显示器的制备流程。

LED早期运用于显示器，如计算器等，目前LED随工艺技术迅猛提高，已经被广泛运用于LED各类电子显示器，在大型电子显示器中的运用涉及单个LED芯片之间的布线问题，这些布线错综复杂，给LED封装、应用技术带来了诸多不利因素，使LED电子显示器组装工艺复杂、增加了制造成本、降低了良率。

发明内容

本发明的一个目的是解决大型电子显示器中的运用涉及单个LED芯片之间的布线问题，对LED芯片进行了结构改进，提供了制备该LED芯片的方法，经发明人研究发现，通过本发明方法制备的LED芯片是运用于电子显示器的各组LED芯片能规整布线，提高了LED封装、应用效率，降低了LED电子显示器的生产成本，简化了LED电子显示器的组装工艺，并且进一步提高了生产良率。

本发明的另一个目的是提高使用本发明的LED芯片的电子显示器在工作状态下的热量转移，从而提高了电子显示器的使用寿命。

本发明的再一个目的是提高运用本发明方法制备的LED芯片的电子显示器在同样规格，本发明的LED芯片其出光率比一般芯片整体提高了1.3％左右。

为了实现根据本发明的目的和其它优点，提供了一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法包括：

将制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定于第二基板；

其中第一基板垒晶层制备包括：经切割后形成于第一基板上的P-N外延层；在P-N外延层上制备多层独立的铟锡金属氧化物层；在P-N外延层上的多层独立的铟锡金属氧化物层上横向排列一层图形化蚀刻掩膜；在多层独立的铟锡金属氧化物层上通过蚀刻P-N外延层形成多个P-N外延结构，多个P-N外延结构之间暴露的侧边覆盖上绝缘层。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中所述第二基板的第一表面制备成粗糙且带有凹凸回沟表面，与制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定的第二基板的第二表面为图形化表面，所述第二基板选自铜箔在高温下直接键合到Al₂O₃或AlN陶瓷基片表面的复合基板。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中所述固定第一基板与第二基板的粘合层材料包括：10：1质量比的甲基乙烯基聚硅氧烷混合物与甲基氢基聚硅氧烷混合物、1：1质量比的氧化铝与氢氧化铝。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中通过粘合层固定于第二基板的制备有垒晶层的第一基板有三种，包括三种原色。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中通过粘合层固定于第二基板的每个制备有垒晶层的第一基板上都是一组单一颜色的P-N外延结构，颜色选自：红色、绿色和蓝色。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中通过粘合层固定于第二基板的每个制备有垒晶层的第一基板上单一颜色的P-N外延结构相互之间成一列摆布，第一基板上的红色、绿色和蓝色，三色P-N外延结构成规则交叉固定设置于第二基板上。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中所述形成于P-N外延层上多层独立的铟锡金属氧化物层，其中多层为3-5层，铟锡金属氧化物为氧化铟锡层。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中形成于P-N外延层上3-5层独立的氧化铟锡层，其中各层氧化铟锡层中的In2o3与SnO2的质量比为15：1-5：1之间。

本发明所述的用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其中形成于P-N外延层上3-5层独立的氧化铟锡层，其中各层氧化铟锡层中的In₂o₃与SnO₂的质量比均不相同，从下之上，第一层氧化铟锡层至最上一层氧化铟锡层中的In2o3的含量降低，SnO₂的含量升高。