[发明专利]一种半导体封装用银合金线及其制造方法有效
| 申请号： | 201711120572.3 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107946271B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 周振基;周博轩;任智 | 申请（专利权）人： | 汕头市骏码凯撒有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48 |
| 代理公司： | 44305 广东卓建律师事务所 | 代理人： | 陈江雄 |
| 地址： | 515065 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 合金 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装用银合金线，其特征在于包括：
含0-1％钯的银合金线主体；
在所述银合金线主体上涂敷的一层包含纳米钯钌银合金和稳定剂的复合膜。
2.根据权利要求1所述的半导体封装用银合金线，其特征在于，所述稳定剂采用高分子聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙烯亚胺、或聚丙烯酸。
3.根据权利要求2所述的半导体封装用银合金线，其特征在于，所述复合膜的厚度在11-18纳米之间。
4.根据权利要求1所述的半导体封装用银合金线，其特征在于，所述纳米钯钌银合金中纳米颗粒中的钌、钯、银的原子比为1：1：2。
5.根据权利要求4所述的半导体封装用银合金线，其特征在于，所述纳米钯钌银合金中钯、钌、银采用液体还原法还原钯盐、钌盐和银盐获得，其中含有钯、钌、银的纳米颗粒的大小在2-15nm之间。
6.一种半导体封装用银合金线的制造方法，其特征在于包括：
将纯度为4N以上的银熔铸，加入重量比为0-1％的钯；
经若干次拉丝获得18-50微米之间的键合丝，在拉丝过程中和结束后采取二次以上的退火；
清洗线材后，让线材穿过含有纳米钯钌银合金和稳定剂的胶液中；
在高温环境下完成胶液的固化，得到复合膜，然后绕线。
7.根据权利要求6所述的半导体封装用银合金线的制造方法，其特征在于，所述稳定剂采用高分子聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙烯亚胺、或聚丙烯酸，所述复合膜的厚度在11-18纳米之间。
8.根据权利要求6所述的半导体封装用银合金线的制造方法，其特征在于，所述纳米钯钌银合金中纳米颗粒中的钌、钯、银的原子比为1：1：2。
9.根据权利要求8所述的半导体封装用银合金线的制造方法，其特征在于，所述纳米钯钌银合金中钯、钌、银采用液体还原法还原钯盐、钌盐和银盐获得，其中含有钯、钌、银的纳米颗粒的大小在2-15nm之间。
10.根据权利要求6所述的半导体封装用银合金线的制造方法，其特征在于，胶液的固化在退火炉的氮气的氛围下，温度为110-150摄氏度之间进行。
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