[发明专利]气体供应单元及包括气体供应单元的基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

分隔件，所述分隔件配置成提供气体供应通道；以及

气体供应单元，所述气体供应单元连接到所述气体供应通道，

其中，在所述气体供应单元中形成与所述气体供应通道连通的气流通道，

其中，第一通孔形成为穿过所述分隔件的至少一部分，第二通孔形成为穿过所述气体供应单元的至少一部分，并且所述第一通孔经由所述第二通孔与所述气流通道连通，

其中，所述第二通孔布置在所述气流通道的中心和边缘之间，并且布置为与所述边缘间隔开。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括射频杆，所述射频杆通过穿过所述分隔件的至少一部分而连接到所述气体供应单元。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述气体供应单元包括气体通道和气体供应板，并且

所述气流通道形成在所述气体通道和所述气体供应板之间。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述气流通道的宽度从所述中心向周边逐渐减小。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第二通孔布置成朝向待处理基板的堆叠结构。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第二通孔相对于所述气体供应板以垂直方向或倾斜方向穿过。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述第一通孔和所述第二通孔之间形成缓冲空间，并且

所述缓冲空间的宽度大于所述第一通孔的宽度并且大于所述第二通孔的宽度。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述缓冲空间沿着与所述气体供应通道的中心间隔开一定距离的圆周连续地形成。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括配置成接触所述分隔件的下表面的基座。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：

连接到所述气体供应通道的第一气体供应器；

连接到所述第一通孔的第二气体供应器；以及

配置成控制所述第一气体供应器和所述第二气体供应器的控制器。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述控制器还配置成独立地控制所述第一气体供应器和所述第二气体供应器。

12.一种基板处理装置，包括：

反应器壁；

第一分隔件，所述第一分隔件将所述反应器壁的内部空间分隔成上部空间和下部空间；

第二分隔件，所述第二分隔件布置成与所述上部空间的中心间隔开一定距离；

第三分隔件，所述第三分隔件布置在所述反应器壁与所述第二分隔件之间；

从所述上部空间延伸到所述下部空间的气体供应通道；

与所述气体供应通道连接的气体供应单元；

穿过第三分隔件的第一通孔；

第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔连通并穿过所述气体供应单元的至少一部分，

其中，所述第二通孔布置在所述气体供应单元的中心和边缘之间，并且布置成与所述边缘间隔开。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，还包括：

布置在所述下部空间中的气体供应板；以及

堆叠在所述气体供应板上并与所述气体供应板机械联接的气体通道，

其中，气流通道形成在所述气体通道和所述气体供应板之间。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，还包括至少一个射频杆，

其中，所述射频杆电连接到所述气体通道。