[发明专利]气体供应单元及包括气体供应单元的基板处理装置

说明书

提供了具有改进的膜处理均匀性的基板处理装置。基板处理装置包括配置成提供气体供应通道的分隔件和连接到气体供应通道的气体供应单元。与气体供应通道连通的气流通道形成在气体供应单元中。第一通孔形成为穿过分隔件的至少一部分。第二通孔形成为穿过气体供应单元的至少一部分。第一通孔经由第二通孔与气流通道连通。第二通孔布置在气流通道的中心和边缘之间，并且布置成与边缘间隔开。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2016-0152239的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及气体供应单元以及包括气体供应单元的基板处理装置，并且更具体地，涉及能够控制到基板的特定部分上的膜沉积的气体供应单元以及包括气体供应单元的沉积装置。

背景技术

在制造半导体器件的工艺中，随着电线宽度的减小，要求更精确的工艺控制。在作为重要的半导体工艺之一的膜沉积工艺中，已经做出各种努力以实现高的薄膜均匀性。

均匀膜沉积的主要因素之一是气体供应单元。常规气体供应单元采用喷头方法。喷头方法具有将气体以同轴形状均匀地供应到基板上的优点。然而，当供应到基板的气体排出时可能发生问题，因此基板的边缘部分处的膜厚度和基板的中心部分处的膜厚度不均匀。

发明内容

一个或多个实施方式包括：气体供应单元，其能够控制在基板的边缘部分处的膜沉积；以及包括气体供应单元的基板处理装置。

一个或多个实施方式包括：气体供应单元，当在诸如半导体基板或显示器基板的待处理基板的堆叠结构上形成层时，能够考虑堆叠结构的比表面积而形成具有相对均匀厚度的层；以及包括气体供应单元的基板处理装置。

另外的方面将部分在下面的描述中阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过实施所呈现的实施方式而了解。

根据一个或多个实施方式，一种基板处理装置包括：分隔件，其配置成提供气体供应通道；以及气体供应单元，其连接到气体供应通道，其中，与气体供应通道连通的气流通道形成在气体供应单元中，第一通孔形成为穿过分隔件的至少一部分，第二通孔形成为穿过气体供应单元的至少一部分，并且第一通孔经由第二通孔与气流通道连通，第二通孔布置在气流通道的中心和边缘之间，并且布置为与边缘间隔开。

基板处理装置还可以包括射频(RF)杆，其通过穿过分隔件的至少一部分而连接到气体供应单元。

气体供应单元可以包括气体通道和气体供应板，并且气流通道可以形成在气体通道和气体供应板之间。

气流通道的宽度可以从中心向周边逐渐减小。

第二通孔可以布置成朝向待处理基板的堆叠结构。

第二通孔可以相对于气体供应板以垂直方向或倾斜方向穿过。

缓冲空间可以形成在第一通孔和第二通孔之间，缓冲空间的宽度可以大于第一通孔的宽度并且大于第二通孔的宽度。

缓冲空间可以沿着与气体供应通道的中心间隔开一定距离的圆周连续地形成。

基板处理装置还可以包括配置成接触分隔件的下表面的基座。

基板处理装置还可以包括连接到气体供应通道的第一气体供应器、连接到第一通孔的第二气体供应器以及配置成控制第一气体供应器和第二气体供应器的控制器。

控制器还可以配置成独立地控制第一气体供应器和第二气体供应器。